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1. (WO2009020183) 半導体素子及び半導体素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/020183    国際出願番号:    PCT/JP2008/064227
国際公開日: 12.02.2009 国際出願日: 07.08.2008
IPC:
H01L 33/16 (2010.01), C01G 9/00 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H01L 33/28 (2010.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAHARA, Ken [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AKASAKA, Shunsuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWASAKI, Masashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OHTOMO, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TSUKAZAKI, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAHARA, Ken; (JP).
AKASAKA, Shunsuke; (JP).
KAWASAKI, Masashi; (JP).
OHTOMO, Akira; (JP).
TSUKAZAKI, Atsushi; (JP)
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2007-206930 08.08.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ELÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子及び半導体素子の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor element having a semiconductor layer mainly composed of MgxZn1-xO (0≤x<1), wherein the content of manganese contained as an impurity in the semiconductor layer is 1 × 1016 cm-3 or less.
(FR)La présente invention a trait à un élément semi-conducteur doté d'une couche semi-conductrice principalement constituée de MgxZn1-xO (0 ≤ x < 1), dans laquelle la teneur en manganèse contenu en tant qu'impureté dans la couche semi-conductrice est inférieure ou égale à 1 × 1016 cm-3.
(JA) MgxZn1-xO(0≦x<1)を主成分とする半導体層を備え、半導体層に含まれる不純物としてのマンガンの濃度が1×1016cm-3以下である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)