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1. (WO2009020024) サセプタ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/020024    国際出願番号:    PCT/JP2008/063661
国際公開日: 12.02.2009 国際出願日: 30.07.2008
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NISHIZAWA, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAGIWARA, Yoshio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HARIYA, Hideki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NISHIZAWA, Tsuyoshi; (JP).
HAGIWARA, Yoshio; (JP).
HARIYA, Hideki; (JP)
代理人: ARAFUNE, Yoshio; c/o KOYO INTERNATIONAL PATENT AND LAW FIRM, 5F., Nikko Kagurazaka Bldg., 18, Iwatocho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620832 (JP)
優先権情報:
2007-203080 03.08.2007 JP
発明の名称: (EN) SUSCEPTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON EPITAXIAL WAFER
(FR) SUSCEPTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIALE
(JA) サセプタ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a susceptor (13) for manufacturing an epitaxial wafer. The susceptor is provided with a mesh-like groove (13b) on a placing surface whereupon a silicon substrate (W) is to be placed. On the placing surface, a silicon carbide film (H) is formed. The film (H) has a surface roughness of 1&mgr;m or more in center line average roughness (Ra), and a protrusion (13p) generated at the time of applying the film (H) has a maximum height of 5&mgr;m or less. Thus, not only attaching of the silicon substrate with the susceptor but also generation of defects such as warping and slip are eliminated.
(FR)L'invention concerne un suscepteur (13) conçu pour fabriquer une tranche épitaxiale. Le suscepteur est doté d'une rainure en forme de maille (13b) sur une surface de placement sur laquelle un substrat de silicium (W) doit être placé. Un film de carbure de silicium (H) est formé sur la surface de placement. Le film (H) présente une rugosité de surface de 1 &mgr;m ou plus dans la rugosité moyenne de ligne centrale (Ra), et une saillie (13p) générée au moment de l'application du film (H) présente une hauteur maximale de 5 &mgr;m ou moins ce qui permet d'éviter non seulement la fixation du substrat silicium avec le suscepteur mais également d'éliminer la génération de défauts tels que la déformation et le glissement.
(JA) シリコン基板Wを載置する載置面にメッシュ状の溝13bを備えたエピタキシャルウェーハ製造用のサセプタ13であって、前記載置面には、炭化珪素の被膜Hが形成され、前記被膜Hは、表面粗さが中心線平均粗さRaで1μm以上となり、当該被膜Hのコーティング時に発生する突起13pの最大高さが5μm以下となるよう形成される。これにより、シリコン基板とサセプタとの貼り付きとともに、歪みやスリップといった欠陥の発生を防止することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)