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1. (WO2009020023) 出力調整方法、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、及びサセプタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/020023    国際出願番号:    PCT/JP2008/063657
国際公開日: 12.02.2009 国際出願日: 30.07.2008
IPC:
H01L 21/205 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NISHIZAWA, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NISHIZAWA, Tsuyoshi; (JP)
代理人: ARAFUNE, Yoshio; c/o KOYO INTERNATIONAL PATENT AND LAW FIRM, 5F., Nikko Kagurazaka Bldg., 18, Iwatocho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620832 (JP)
優先権情報:
2007-203049 03.08.2007 JP
発明の名称: (EN) POWER ADJUSTING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON EPITAXIAL WAFER, AND SUSCEPTOR
(FR) PROCÉDÉ DE RÉGLAGE DE PUISSANCE, PROCÉDÉ DE FABRICATION PLAQUETTE ÉPITAXIALE DE SILICIUM, ET SUSCEPTEUR
(JA) 出力調整方法、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、及びサセプタ
要約: front page image
(EN)A first susceptor (13) has a plurality of recessed sections (13b) on a surface whereupon a silicon substrate (W) is to be placed. Power of heaters (17a, 17b) is adjusted so that the heights and depths of a plurality of protruding or recessed epitaxial layers formed at positions corresponding to the recessed sections (13b) on the main surface of the silicon substrate (W) are substantially the same. Thus, the temperature difference between the silicon substrate and the susceptor can be made substantially uniform entirely over the silicon substrate.
(FR)Un premier suscepteur (13) comporte une pluralité de parties en creux (13b) sur une surface prévue pour recevoir un substrat de silicium (W). La puissance des radiateurs (17a, 17b) est réglée de façon que les hauteurs et les profondeurs d'une pluralité de couches épitaxiales en relief ou en creux formées en des positions correspondant aux parties en creux (13b) de la surface principale du substrat de silicium (W) soient sensiblement les mêmes. Ainsi, l'écart de température entre le substrat de silicium et le suscepteur peut être rendu sensiblement uniforme sur la totalité du substrat de silicium.
(JA)第1サセプタ13として、シリコン基板Wを載置する面に複数の凹部13bが形成されたものを用い、シリコン基板Wの主表面のうち、凹部13bに対応する位置に形成される凸状又は凹状の複数のエピタキシャル層の高さ又は深さ同士が略一定となるよう、加熱装置17a,17bの出力を調整する。これにより、シリコン基板とサセプタとの温度差をシリコン基板全面にわたり略均一にすることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)