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1. (WO2009019920) 回路基板及び表示装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/019920    国際出願番号:    PCT/JP2008/059125
国際公開日: 12.02.2009 国際出願日: 19.05.2008
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01)
出願人: Sharp Kabushiki Kaisha [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MORIWAKI, Hiroyuki [JP/--]; (米国のみ)
発明者: MORIWAKI, Hiroyuki;
代理人: YASUTOMI, Yasuo; MT-2 BLDG., 5-36, Miyahara 3-chome, Yodogawa-ku Osaka-shi, Osaka 5320003 (JP)
優先権情報:
2007-208372 09.08.2007 JP
発明の名称: (EN) CIRCUIT BOARD AND DISPLAY DEVICE
(FR) CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 回路基板及び表示装置
要約: front page image
(EN)A circuit board, which has a top gate type TFT and a bottom gate type TFT formed on the same substrate, improves reliability of a TFT. The circuit board is provided with the bottom gate type thin film transistor wherein a gate electrode, a gate insulating film and a semiconductor layer are laminated from the substrate side; and the top gate type thin film transistor wherein a semiconductor layer, a gate insulating film and a gate electrode are laminated from the substrate side. The circuit board has two or more insulating films between the substrate and the top gate type thin film transistor. The two or more insulating films include a base coat film arranged between the substrate and the gate electrode of the bottom gate type thin film transistor, and a gate insulating film of the bottom gate type thin film transistor.
(FR)L'invention porte sur une carte de circuit imprimé, qui a un transistor en couches minces (TFT) de type à grille supérieure et un transistor en couches minces de type à grille inférieure formés sur le même substrat, et améliore la fiabilité d'un TFT. La carte de circuit comporte le transistor en couches minces de type à grille inférieure dans lequel une électrode de grille, un film isolant de grille et une couche semi-conductrice sont stratifiés à partir du côté substrat ; et le transistor en couches minces de type à grille supérieure dans lequel une couche semi-conductrice, un film isolant de grille et une électrode de grille sont stratifiés à partir du côté substrat. La carte de circuit imprimé a deux films isolants ou plus entre le substrat et le transistor en couches minces de type à grille supérieure. Les deux films isolants ou plus comprennent un film de revêtement de base agencé entre le substrat et l'électrode de grille du transistor en couches minces de type à grille inférieure, et un film isolant de grille du transistor en couches minces de type à grille inférieure.
(JA)本発明は、トップゲート型TFTとボトムゲート型TFTとを同一基板上に形成した回路基板において、TFTの信頼性の向上を図ることが可能な回路基板を提供する。本発明は、基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜及び半導体層が基板側から積層されたボトムゲート型薄膜トランジスタと、半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極が基板側から積層されたトップゲート型薄膜トランジスタとを備える回路基板であって、上記回路基板は、基板とトップゲート型薄膜トランジスタの半導体層との間に、2以上の絶縁膜を有し、上記2以上の絶縁膜は、基板とボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート電極との間に配置されたベースコート膜、及び、ボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を含んで構成される回路基板。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)