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1. (WO2009019865) 半導体装置とその製造方法および画像表示装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/019865    国際出願番号:    PCT/JP2008/002124
国際公開日: 12.02.2009 国際出願日: 06.08.2008
予備審査請求日:    16.04.2009    
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/02 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKATANI, Seiichi; (米国のみ).
YAMASHITA, Yoshihisa; (米国のみ).
KITAE, Takashi; (米国のみ).
SAWADA, Susumu; (米国のみ)
発明者: NAKATANI, Seiichi; .
YAMASHITA, Yoshihisa; .
KITAE, Takashi; .
SAWADA, Susumu;
代理人: TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2007-205203 07.08.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND IMAGE DISPLAY
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE D'IMAGE
(JA) 半導体装置とその製造方法および画像表示装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device wherein semiconductor elements are formed at a higher density. Also disclosed are a method for manufacturing such a semiconductor device and an image display using such a semiconductor device. Specifically disclosed is a semiconductor device characterized by comprising a resin film having a through hole penetrating the film from one side to the other side, an organic semiconductor arranged within the through hole, an insulating film covering one end of the organic semiconductor, a gate electrode covering the insulating film, a source electrode electrically connected with the other end of the organic semiconductor, and a drain electrode electrically connected with the other end of the organic semiconductor.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur, les éléments semi-conducteurs étant formés à une densité plus élevée. L'invention porte aussi sur un procédé pour la fabrication d'un tel dispositif à semi-conducteur et sur un dispositif d'affichage d'image utilisant un tel dispositif à semi-conducteur. L'invention concerne précisément un dispositif à semi-conducteur caractérisé par le fait qu'il comprend un film de résine ayant un trou traversant pénétrant le film de part en part, un semi-conducteur organique agencé à l'intérieur du trou traversant, un film isolant couvrant une extrémité du semi-conducteur organique, une électrode de grille couvrant le film isolant, une électrode de source électriquement connectée à l'autre extrémité du semi-conducteur organique et une électrode déversoir électriquement connectée à l'autre extrémité du semi-conducteur organique.
(JA) より高密度に半導体素子を形成できる半導体装置およびその製造方法を提供する。併せてこの半導体装置を用いた画像表示装置の提供もする。  一方の面から他方の面に貫通するスルーホールを有する樹脂フィルムと、前記スルーホールの内部に配置された有機半導体と、前記有機半導体の一方の端部を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜を覆うゲート電極と、前記有機半導体の他方の端部と電気的に接続したソース電極と、前記有機半導体の他方の端部と電気的に接続したドレイン電極と、を有することを特徴とする半導体装置である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)