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1. (WO2009019864) 半導体装置とその製造方法および画像表示装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/019864    国際出願番号:    PCT/JP2008/002123
国際公開日: 12.02.2009 国際出願日: 06.08.2008
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKATANI, Seiichi; (米国のみ).
YAMASHITA, Yoshihisa; (米国のみ).
KITAE, Takashi; (米国のみ).
SAWADA, Susumu; (米国のみ)
発明者: NAKATANI, Seiichi; .
YAMASHITA, Yoshihisa; .
KITAE, Takashi; .
SAWADA, Susumu;
代理人: TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building 3-7, Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2007-205202 07.08.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND IMAGE DISPLAY
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE D'IMAGE
(JA) 半導体装置とその製造方法および画像表示装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device wherein semiconductor elements are formed at a higher density. Also disclosed are a method for manufacturing such a semiconductor device and an image display using such a semiconductor device. Specifically disclosed is a semiconductor device characterized by comprising a resin film having a through hole penetrating the film from one side to the other side, a source electrode formed along the inner wall of the through hole, a drain electrode formed along the inner wall of the through hole, a gate electrode so formed on the other side of the resin film as to face the through hole, an insulating layer formed on the gate electrode and lying at the bottom of the through hole, and an organic semiconductor arranged within the through hole in contact with the source electrode and the drain electrode. This semiconductor device is further characterized in that the organic semiconductor is in contact with at least a part of the insulating layer at the bottom of the through hole, and a channel is formed in the organic semiconductor at a position near the insulating layer in contact therewith.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur, les éléments semi-conducteurs étant formés à une densité plus élevée. L'invention porte aussi sur un procédé pour la fabrication d'un tel dispositif à semi-conducteur et sur un dispositif d'affichage d'image utilisant un tel dispositif à semi-conducteur. L'invention concerne précisément un dispositif à semi-conducteur caractérisé par le fait qu'il comporte un film de résine ayant un trou traversant pénétrant le film de part en part, une électrode de source formée le long de la paroi interne du trou traversant, une électrode déversoir formée le long de la paroi interne du trou traversant, une électrode de grille formée sur l'autre côté du film de résine de façon à faire face au trou traversant, une couche isolante formée sur l'électrode de grille et située au fond du trou traversant, et un semi-conducteur organique agencé à l'intérieur du trou traversant en contact avec l'électrode de source et l'électrode déversoir. Ce dispositif à semi-conducteur est en outre caractérisé par le fait que le semi-conducteur organique est en contact avec au moins une partie de la couche isolante au fond du trou traversant, et par le fait qu'un canal est formé dans le semi-conducteur organique à une position proche de la couche isolante en contact avec celle-ci.
(JA) より高密度に半導体素子を形成できる半導体装置およびその製造方法を提供する。併せてこの半導体装置を用いた画像表示装置の提供もする。  一方の面から他方の面に貫通するスルーホールを有する樹脂フィルムと、前記スルーホールの内壁に沿って設けられたソース電極と、前記スルーホールの内壁に沿って設けられたドレイン電極と、前記スルーホールに対向して前記樹脂フィルムの他方の面に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられ、前記スルーホール内の底部に位置する絶縁層と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とに接触するように前記スルーホールの内部に配置された有機半導体と、を備え、前記有機半導体は、前記スルーホール内の底部において前記絶縁層の少なくとも一部と接触し、その接触した絶縁層の近傍の有機半導体にチャンネルが形成されることを特徴とする半導体装置である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)