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1. (WO2009019762) 光マトリックスデバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/019762    国際出願番号:    PCT/JP2007/065428
国際公開日: 12.02.2009 国際出願日: 07.08.2007
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), G01T 1/24 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 1, Nishinokyo-Kuwabaracho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048511 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ADACHI, Susumu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ADACHI, Susumu; (JP)
代理人: SUGITANI, Tsutomu; Nishitenma No.11 Matsuya Bldg. 10-8, Nishitenma 1-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300047 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) PROCESS FOR MANUFACTURING OPTICAL MATRIX DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF DE MATRICE OPTIQUE
(JA) 光マトリックスデバイスの製造方法
要約: front page image
(EN)A process for manufacturing an optical matrix device, in which in the operation of printing coating film formation, when at least one of conductive, semiconductor and insulating materials for device construction is formed by the printing coating film formation, thermal processing in the thermal processing step is applied to the above at least one of conductive, semiconductor and insulating materials. This application of thermal processing would enhance the performance of device (in Examples, flat panel X-ray detector (FPD)).
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif de matrice optique, dans lequel dans l'opération de formation de film de revêtement d'impression, lorsqu'au moins un parmi des matériaux conducteurs, semi-conducteur et isolant pour la construction de dispositif est formé par la formation de film de revêtement d'impression, un traitement thermique dans l'étape de traitement thermique est appliqué sur le ou les matériaux ci-dessus parmi les matériaux conducteurs, semi-conducteur et isolant. Cette application de traitement thermique optimiserait les performances du dispositif (dans des exemples, un détecteur de rayons X à écran plat (FPD)).
(JA) この発明の光マトリックスデバイスの製造方法は、印刷塗布製膜工程で、デバイスを形成する導電材料、半導体材料、絶縁材料のうちの少なくとも1つの材料を印刷塗布製膜によって形成する場合において、上述した導電材料、半導体材料、絶縁材料のうちの少なくとも1つの材料に対して、熱的加工工程では熱的加工を施す。このような熱的加工を施すことで、デバイス(実施例ではフラットパネル型X線検出器:FPD)の特性を向上させることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)