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1. (WO2009017172) CIS系薄膜太陽電池の光吸収層の作製方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/017172    国際出願番号:    PCT/JP2008/063700
国際公開日: 05.02.2009 国際出願日: 30.07.2008
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: Showa Shell Sekiyu K. K. [JP/JP]; 2-3-2, Daiba, Minato-ku. Tokyo 1358074 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMAGUCHI, Yuri [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TABUCHI, Katsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUSHIYA, Katsumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAKUMA, Hideki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMAGUCHI, Yuri; (JP).
TABUCHI, Katsuya; (JP).
KUSHIYA, Katsumi; (JP).
HAKUMA, Hideki; (JP)
代理人: KASUKAWA, Toshio; 3Fl., Matsuokashibuya Bldg. 1-17-8, Shibuya Shibuya-ku, Tokyo 1500002 (JP)
優先権情報:
2007-201655 02.08.2007 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING LIGHT ABSORBING LAYER IN CIS THIN-FILM SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ SERVANT À FORMER UNE COUCHE ABSORBANT LA LUMIÈRE DANS UNE CELLULE SOLAIRE EN COUCHES MINCES DE TYPE CIS
(JA) CIS系薄膜太陽電池の光吸収層の作製方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To regulate the uptake of sulfur in a process of forming a light absorbing layer in a CIS thin-film solar cell. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A method for forming a p-type CIS light absorbing layer in a CIS thin-film solar cell, which is a pn hetero junction device having a substrate structure comprising a glass substrate, a metal backside electrode layer, a p-type CIS light absorbing layer, an n-type high-resistance buffer layer, an n-type transparent electroconductive film window layer stacked in that order. The method comprises a selenization step of stacking the metal backside electrode layer on the glass substrate and holding a treatment object comprising a metal precursor film stacked on the metal backside electrode layer at a predetermined temperature for a given period of time with a selenium source for selenization, and a sulfidization step of raising the temperature from the predetermined temperature in the selenization step and holding the assembly at a predetermined temperature for a given period of time with a sulfur source for sulfidization. The uptake of sulfur in the p-type CIS light absorbing layer is regulated by varying the difference in temperature ΔT between the selenization step and the sulfidization step.
(FR)L'invention a pour objet d'ajuster l'incorporation de soufre dans un procédé de formation d'une couche absorbant la lumière dans une cellule solaire en couches minces de type CIS. L'invention concerne précisément un procédé servant à former une couche absorbant la lumière de type CIS de type p dans une cellule solaire en couches minces de type CIS, laquelle est un dispositif d'hétérojonction pn ayant une structure de substrat comprenant un substrat en verre, une couche d'électrode d'envers en métal, une couche absorbant la lumière de type CIS de type p, une couche tampon haute résistance de type n, une couche fenêtre de film électriquement conducteur transparent de type n, empilés dans cet ordre. Le procédé comprend : une étape d'incorporation de sélénium consistant à empiler la couche d'électrode d'envers en métal sur le substrat en verre et à maintenir un objet de traitement comprenant un film de précurseur de métal empilé sur la couche d'électrode d'envers en métal à une température donnée pendant un temps donné avec une source de sélénium pour l'incorporation de sélénium; et une étape de sulfuration consistant à augmenter la température à partir de la température donnée de l'étape d'incorporation de sélénium et à maintenir l'assemblage à une température donnée pendant un temps donné avec une source de soufre pour la sulfuration. On ajuste l'incorporation de soufre dans la couche absorbant la lumière de type CIS de type p en faisant varier la différence de température ΔT entre l'étape d'incorporation de sélénium et l'étape de sulfuration.
(JA)【課題】CIS系薄膜太陽電池の光吸収層の作製過程において、硫黄の取込量を制御する。 【解決手段】ガラス基板、金属裏面電極層、p型CIS系光吸収層、n型高抵抗バッファ層、n型透明導電膜窓層の順番に積層されたサブストレート構造のpnヘテロ接合デバイスであるCIS系薄膜太陽電池における上記p型CIS系光吸収層の作製方法であって、上記ガラス基板上に上記金属裏面電極層を積層すると共に、当該金属裏面電極層上に金属プリカーサ膜を積層した処理対象物を、セレン源により、一定時間、所定の温度に保持することによりセレン化するセレン化工程と、当該セレン化工程における所定の温度から昇温した後、硫黄源により、一定時間、所定の温度に保持することにより硫化する硫化工程において、上記セレン化工程と上記硫化工程との温度差ΔTを変化させることにより、上記p型CIS系光吸収層への硫黄の取込量を制御する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)