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1. (WO2009017155) 高輝度発光ダイオ-ド及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/017155    国際出願番号:    PCT/JP2008/063665
国際公開日: 05.02.2009 国際出願日: 30.07.2008
IPC:
H01L 33/14 (2010.01), H01L 33/30 (2010.01)
出願人: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
WATANABE, Masataka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMADA, Masato [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: WATANABE, Masataka; (JP).
YAMADA, Masato; (JP)
代理人: ISHIHARA, Shoji; c/o Ishihara International Patent Firm No. 302, Wakai Bldg. 7-8, Higashi-Ikebukuro 3-chome Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
2007-199618 31.07.2007 JP
発明の名称: (EN) HIGH-LUMINANCE LIGHT-EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À LUMINANCE ÉLEVÉE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 高輝度発光ダイオ-ド及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A red-color high-luminance light-emitting diode that eliminates defects caused by high Vf while exhibiting excellent life performance and high luminance, as well as a manufacturing method for the high-luminance light-emitting diode that assures stable manufacturing of the high-luminance light-emitting diode with improved yield and productivity. The high-luminance light-emitting diode has an AlGaInP 4-element luminescent layer that is made grown on a GaAs substrate, a p-type window layer for taking out luminescent light that is made grown on the top surface of the AlGaInP 4-element luminescent layer, and an n-type GaP window layer for taking out luminescent light that is made grown in a vapor phase epitaxial method on the rear side that is lattice-matched to GaAs on the AlGaInP 4-element luminescent layer after etching removal of the GaAs substrate. The n-type carrier density in early phase of growth of the n-type GaP window layer is increased, and then the n-type carrier density of the n-type GaP window layer after early phase of growth of the n-type GaP window layer is made lower than the n-type carrier density in early phase of growth of the n-type GaP window layer.
(FR)L'invention concerne une diode électroluminescente à luminance élevée de couleur rouge qui élimine des défauts dus à une Vf élevée tout en présentant une excellente performance de vie et une luminance élevée, ainsi qu'un procédé de fabrication pour la diode électroluminescente à luminance élevée qui assure une fabrication stable de la diode électroluminescente à luminance élevée avec un rendement et une productivité meilleurs. La diode électroluminescente à luminance élevée comprend une couche luminescente à 4 éléments AlGaInP qui est formée sur un substrat GaAs, une couche de fenêtre de type p pour la sortie de lumière luminescente qui est formée sur la surface supérieure de la couche luminescente à 4 éléments AlGaInP, et une couche de fenêtre GaP de type n pour la sortie de lumière luminescente qui est formée dans un procédé d'épitaxie en phase vapeur sur le côté arrière qui est en accord de maille avec le GaAs sur la couche luminescente à 4 éléments AlGaInP après élimination par gravure du substrat GaAs. La densité de porteurs de type n dans une phase précoce de croissance de la couche de fenêtre GaP de type n est augmentée, et la densité de porteurs de type n de la couche de fenêtre GaP de type n après la phase précoce de croissance de la couche de fenêtre GaP de type N est ensuite rendue inférieure à la densité de porteurs de type n en phase précoce de croissance de la couche de fenêtre GaP de type n.
(JA) Vf高不良の発生がなくなるとともにライフ特性が良くかつ輝度の高い赤色の高輝度発光ダイオード、及び当該高輝度発光ダイオードを歩留まりよくかつ生産性よく安定して製造することができる高輝度発光ダイオードの製造方法を提供する。  GaAs基板上に成長せしめられたAlGaInPの4元発光層と、前記AlGaInPの4元発光層の表面上に成長せしめられた発光光の取り出し用のp型窓層と、前記GaAs基板をエッチング除去した後に前記AlGaInPの4元発光層のGaAsに格子整合された裏面に気相エピタキシャル成長せしめられた発光光の取り出し用のn型GaP窓層とを有し、前記n型GaP窓層の成長初期のn型キャリア濃度を高くし続いてn型GaP窓層成長初期以降のn型GaP窓層のn型キャリア濃度を前記n型GaP窓層成長初期のn型キャリア濃度より低くするようにした。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)