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1. (WO2009016928) 半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/016928    国際出願番号:    PCT/JP2008/062266
国際公開日: 05.02.2009 国際出願日: 07.07.2008
IPC:
H01L 27/04 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HIGASHIDA, Shouji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HIGASHIDA, Shouji; (JP)
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2007-199122 31.07.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor device wherein increase of forward loss is suppressed and reverse recovery loss is reduced. A method for manufacturing such semiconductor device is also provided. The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate (10) which has a first conductivity and forms a drain layer; a base layer (6) which is arranged on the front surface of the semiconductor substrate and has a second conductivity; a source layer (4) which is arranged on the base layer (6) and has the first conductivity; a gate insulating film (2) arranged on the base layer (6) and the source layer (4); a gate electrode (3) arranged on the gate insulating film (2); a source electrode (1) connected to the base layer (6) and the source layer (4); a metal layer (11) which is arranged on the rear surface of the semiconductor substrate (10) and is subjected to alloy process with the semiconductor substrate (10); a metal layer (12) arranged on the metal layer (11); a metal layer (14) arranged on the metal layer (12); and a metal layer (16) arranged on the metal layer (14). The method for manufacturing such semiconductor device is also provided.
(FR)L'invention porte sur un dispositif semi-conducteur pour lequel l'augmentation d'une perte directe est supprimée et une perte de recouvrement inverse est réduite. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un tel dispositif semi-conducteur. Le dispositif semi-conducteur comporte un substrat semi-conducteur (10) qui a une première conductivité et forme une couche de drain; une couche de base (6) qui est agencée sur la surface avant du substrat semi-conducteur et a une seconde conductivité; une couche de source (4) qui est agencée sur la couche de base (6) et a la première conductivité; un film isolant de grille (2) agencé sur la couche de base (6) et la couche de source (4); une électrode de grille (3) agencée sur le film isolant de grille (2); une électrode de source (1) raccordée à la couche de base (6) et à la couche de source (4); une couche métallique (11) qui est agencée sur la surface arrière du substrat semi-conducteur (10) et est soumise à un traitement d'alliage avec le substrat semi-conducteur (10); une couche métallique (12) agencée sur la couche métallique (11); une couche métallique (14) agencée sur la couche métallique (12); et une couche métallique (16) agencée sur la couche métallique (14). L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un tel dispositif semi-conducteur.
(JA) 順方向損失の増加を抑制し、かつ逆回復損失を低減化する半導体装置およびその製造方法を提供する。  第1導電型を有し、ドレイン層を形成する半導体基板(10)と、半導体基板の表面上に配置され、第2導電型を有するベース層(6)と、ベース層(6)上に配置され、第1導電型を有するソース層(4)と、ベース層(6)およびソース層(4)上に配置されたゲート絶縁膜(2)と、ゲート絶縁膜(2)上に配置されたゲート電極(3)と、ベース層(6)およびソース層(4)に接続されたソース電極(1)と、半導体基板(10)の裏面上に配置され、半導体基板(10)とアロイ処理された金属層(11)と、金属層(11)上に配置された金属層(12)と、金属層(12)上に配置された金属層(14)と、金属層(14)上に配置された金属層(16)とを備える半導体装置およびその製造方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)