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1. (WO2009016906) 弾性波装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/016906    国際出願番号:    PCT/JP2008/061837
国際公開日: 05.02.2009 国際出願日: 30.06.2008
IPC:
H03H 9/145 (2006.01), H03H 3/08 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01)
出願人: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TANAKA, Nobuhira [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAZAKI, Hisashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TANAKA, Nobuhira; (JP).
YAMAZAKI, Hisashi; (JP)
代理人: MIYAZAKI, Chikara; 6F, Daido Seimei Bldg. 5-4, Tanimachi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400012 (JP)
優先権情報:
2007-197335 30.07.2007 JP
発明の名称: (EN) ELASTIC WAVE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À ONDE ÉLASTIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 弾性波装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is an elastic wave device by which cracks are not easily generated in a piezoelectric substrate, contact resistance of a contact section, i.e., an electrically connecting section between wiring patterns, is reduced and an insertion loss is improved, for flip chip bonding using a bump. In an elastic wave device (1), first and second multilayer conductive films are formed on a piezoelectric substrate (2), an IDT electrode and a first wiring pattern (16) are formed by the first multilayer conductive film (33), and an electrode pad (9) to which a bump (32) is to be connected and a second wiring pattern (17) are formed by the second multilayer conductive film (31). At least one contact section (B) is formed for electrically connecting the second wiring pattern (17) and the first wiring pattern (16) by having the second wiring pattern over the first wiring pattern. The topmost layer conductive film of the first multilayer conductive film (33) is composed of a Ti film (33a), and the lowest layer conductive film of the second multilayer conductive film (31) is an Al-based conductive film (31c) composed of Al or an alloy having Al as main component.
(FR)L'invention concerne un dispositif à onde élastique grâce auquel des fissures ne sont pas facilement générées dans un substrat piézoélectrique, la résistance de contact d'une section de contact, c'est-à-dire d'une section de liaison électrique entre des schémas de câblage, est réduite et une perte d'insertion est améliorée, pour une connexion par retournement en utilisant une bosse. Dans un dispositif à onde élastique (1), un premier et un second film conducteur multicouches sont formés sur un substrat piézoélectrique (2), une électrode IDT et un premier schéma de câblage (16) sont formés par le premier film conducteur multicouche (33), et une plage d'électrode (9) à laquelle une bosse (32) doit être reliée et un second schéma de câblage (17) sont formés par le second film conducteur multicouche (31). Au moins une section de contact (B) est formée afin de relier électriquement le second schéma de câblage (17) et le premier schéma de câblage (16) en plaçant le second schéma de câblage par-dessus le premier schéma de câblage. Le film conducteur de couche supérieure du premier film conducteur multicouche (33) est composé d'un film de Ti (33a), et le film conducteur de couche inférieure du second film conducteur multicouche (31) est un film conducteur à base d'Al (31c) composé d'Al ou d'un alliage ayant Al comme composant principal.
(JA) バンプを用いたフリップチップボンディングに際し、圧電基板にクラックが生じ難いだけでなく、配線パターン同士の電気的接続部であるコンタクト部の接触抵抗が低く、挿入損失を改善することができる弾性波装置を提供する。  圧電基板2上に第1,第2の積層導電膜が形成されており、第1の積層導電膜33により、IDT電極及び第1の配線パターン16が形成されており、第2の積層導電膜31により、バンプ32が接続される電極パッド9及び第2の配線パターン17が形成されており、第2の配線パターン17が第1の配線パターン16上に重なり合って両者が電気的に接続される少なくとも1つのコンタクト部Bが形成されており、第1の積層導電膜33の最上層導電膜がTi膜33aからなり、第2の積層導電膜31の最下層導電膜がAlまたはAlを主体とする合金からなるAl系導電膜31cである、弾性波装置1。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)