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World Intellectual Property Organization
1. (WO2009016776) 光起電力装置の製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/016776    国際出願番号:    PCT/JP2007/074510
国際公開日: 05.02.2009 国際出願日: 20.12.2007
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NISHIMURA, Kunihiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUNO, Shigeru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NISHIMURA, Kunihiko; (JP).
MATSUNO, Shigeru; (JP)
代理人: SOGA, Michiharu; S. Soga & Co., 8th Floor, Kokusai Building, 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
2007-199009 31.07.2007 JP
(JA) 光起電力装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a photovoltaic device, by which a texture having an aspect ratio larger than 0.5 can be easily formed. The method includes a step of forming an etching resistant film on a silicon substrate; a step of exposing the basic silicon substrate surface by making a plurality of fine holes on the etching resistant film by irradiating the film with a laser beam whose focal depth is adjusted to 10&mgr;m or more; and a step of etching the surface of the silicon substrate. In the step of exposing the silicon substrate surface, a fine recess is formed at a concentric position to the fine hole on the silicon substrate under the etching resistant film.
(FR)L'invention concerne un procédé pour fabriquer un dispositif photovoltaïque, selon lequel une texture ayant un rapport de forme supérieur à 0,5 peut être facilement formée. Le procédé comprend une étape de formation d'un film résistant à la gravure sur un substrat de silicium ; une étape d'exposition de la surface du substrat de silicium basique par formation d'une pluralité de trous fins sur le film résistant à la gravure par irradiation du film avec un faisceau laser dont la profondeur focale est ajustée à 10 µm ou plus ; et une étape de gravure de la surface du substrat de silicium. Dans l'étape d'exposition de la surface du substrat de silicium, une cavité fine est formée en une position concentrique par rapport aux trous fins sur le substrat de silicium au-dessous du film résistant à la gravure.
(JA) アスペクト比が0.5より大きいテクスチャを簡便に形成することができる光起電力装置の製造方法を提供する。  シリコン基板上に耐エッチング性を有する膜を形成する工程と、焦点深度が10μm以上に調整されたレーザ光を照射することにより前記耐エッチング性を有する膜に複数の微細孔を開けて下地のシリコン基板表面を露出する工程と、前記シリコン基板の表面をエッチングする工程とを含み、前記シリコン基板表面を露出する工程は、前記耐エッチング性を有する膜の下部のシリコン基板に、前記微細孔と同心位置に微細窪みを形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)