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1. (WO2009016739) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/016739    国際出願番号:    PCT/JP2007/064998
国際公開日: 05.02.2009 国際出願日: 31.07.2007
IPC:
H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
出願人: FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku Tokyo 1630722 (JP) (米国を除く全ての指定国).
USUJIMA, Akihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ARIYOSHI, Junichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
EMA, Taiji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: USUJIMA, Akihiro; (JP).
ARIYOSHI, Junichi; (JP).
EMA, Taiji; (JP)
代理人: ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku Tokyo 1506032 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)In a semiconductor device having a memory transistor, a high-voltage operation transistor, and a low-voltage operation transistor on the same substrate, the memory transistor has a first gate sidewall insulation film (10M) and a second gate sidewall insulation film (20M) located outside the first gate sidewall insulation film. The high-voltage operation transistor has a third gate sidewall insulation film (10H) having the same composition as the first gate sidewall insulation film and a fourth gate sidewall insulation film (20H) located outside the third gate sidewall insulation film and having the same composition as the second gate sidewall insulation film. The low-voltage operation transistor has a fifth gate sidewall insulation film (20L) having the same composition as the second and fourth gate sidewall insulation films. The total width of the sidewall spacer of the low-voltage operation transistor is narrower than the total width of the sidewall spacer of the high-voltage operation transistor by the film thickness portion of the third gate sidewall insulation film (10H).
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui possède un transistor de mémoire, un transistor de fonctionnement à haute tension, et un transistor de fonctionnement à basse tension sur le même substrat. Le transistor de mémoire possède un premier film d'isolation de paroi latérale de porte (10M) et un deuxième film d'isolation de paroi latérale de porte (20M) positionné à l'extérieur du premier film d'isolation de paroi latérale de porte. Le transistor de fonctionnement à haute tension possède un troisième film d'isolation de paroi latérale de porte (10H) qui possède la même composition que le premier film d'isolation de paroi latérale de porte et un quatrième film d'isolation de paroi latérale de porte (20H) qui est positionné à l'extérieur du troisième film d'isolation de paroi latérale de porte et qui possède la même composition que le deuxième film d'isolation de paroi latérale de porte. Le transistor de fonctionnement à basse tension possède un cinquième film d'isolation de paroi latérale de porte (20L) qui possède la même composition que les deuxième et quatrième films d'isolation de paroi latérale de porte. La largeur totale de l'entretoise de paroi latérale du transistor de fonctionnement à basse tension est plus étroite que la largeur totale de l'entretoise de paroi latérale du transistor de fonctionnement à haute tension selon la partie d'épaisseur de film du troisième film d'isolation de paroi latérale de porte (10H).
(JA) 同一基板上に、メモリトランジスタと、高電圧動作トランジスタと、低電圧動作トランジスタを有する半導体装置において、前記メモリトランジスタは、第1のゲート側壁絶縁膜(10M)と、当該第1のゲート側壁絶縁膜の外側に位置する第2のゲート側壁絶縁膜(20M)とを有し、前記高電圧動作トランジスタは、前記第1のゲート側壁絶縁膜と同一組成の第3のゲート側壁絶縁膜(10H)と、当該第3のゲート側壁絶縁膜の外側に位置し、前記第2のゲート側壁絶縁膜と同一組成の第4のゲート側壁絶縁膜(20H)とを有し、前記低電圧動作トランジスタは、前記第2及び第4のゲート側壁絶縁膜と同一組成の第5のゲート側壁絶縁膜(20L)を有する。前記低電圧動作トランジスタのトータルの側壁スペーサの幅は、前記高電圧動作トランジスタのトータルの側壁スペーサの幅よりも、前記第3のゲート側壁絶縁膜(10H)の膜厚分だけ狭い。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)