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1. (WO2008143301) パターン形成方法及びそれに用いる樹脂組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/143301    国際出願番号:    PCT/JP2008/059386
国際公開日: 27.11.2008 国際出願日: 21.05.2008
IPC:
G03F 7/40 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: JSR CORPORATION [JP/JP]; 6-10, Tsukiji 5-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048410 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAMURA, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMOKAWA, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKAHASHI, Junichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ABE, Takayoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAGAI, Tomoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAKIZAWA, Tomohiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAMURA, Atsushi; (JP).
SHIMOKAWA, Tsutomu; (JP).
TAKAHASHI, Junichi; (JP).
ABE, Takayoshi; (JP).
NAGAI, Tomoki; (JP).
KAKIZAWA, Tomohiro; (JP)
代理人: WATANABE, Kazuhira; 3rd Fl., No.8 Kikuboshi Tower Building, 20-18, Asakusabashi 3-chome, Taito-ku, Tokyo 1110053 (JP)
優先権情報:
2007-136669 23.05.2007 JP
2007-246847 25.09.2007 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PATTERN FORMATION AND RESIN COMPOSITION FOR USE IN THE METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS ET COMPOSITION DE RÉSINE POUR UNE UTILISATION DANS LE PROCÉDÉ
(JA) パターン形成方法及びそれに用いる樹脂組成物
要約: front page image
(EN)This invention provides a method for pattern formation, comprising (1) the step of selectively exposing a first resist layer and then developing the exposed first resist layer to form a first pattern, (2) the step of coating a predetermined resin composition containing a resin containing hydroxyl groups, which, upon baking, can render the resin insoluble or sparingly soluble in a developing solution and a solvent, on a first pattern, baking the coating, and washing the baked coating to form a second pattern, and (3) the step of subjecting the second pattern to whole image exposure or selective exposure to render the second pattern partially soluble in a developing solution, then developing the pattern to form a third pattern comprising at least one of holes and grooves formed in the second pattern.
(FR)Cette invention concerne un procédé de formation de motifs, comprenant (1) l'étape d'exposition sélective d'une première couche de résist, puis le développement de la première couche de résist exposée pour former un premier motif, (2) l'étape de revêtement d'une composition de résine prédéterminée, contenant une résine contenant des groupes hydroxyle, qui, lors de la cuisson, peuvent rendre la résine insoluble ou soluble de façon éparse dans une solution de développement et un solvant, sur un premier motif, de cuisson du revêtement et de lavage du revêtement cuit pour former un second motif, et (3) l'étape de soumission du second motif à une exposition d'image entière ou à une exposition sélective pour rendre le second motif partiellement soluble dans une solution de développement, puis de développement du motif pour former un troisième motif comprenant au moins l'un parmi des trous et des rainures formés dans le second motif.
(JA) (1)第一のレジスト層を選択的に露光した後、現像して第一のパターンを形成する工程と、(2)第一のパターン上に、ベークすることで現像液に対して不溶化又は難溶化する水酸基を有する樹脂、及び溶媒を含有する所定の樹脂組成物を塗布し、ベーク後、洗浄して第二のパターンを形成する工程と、(3)第二のパターンを、全面露光又は選択的に露光することによって部分的に現像液に可溶にした後、現像して、穴及び溝の少なくともいずれかが第二のパターンに形成された第三のパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)