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1. (WO2008143201) 半導体発光装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/143201    国際出願番号:    PCT/JP2008/059098
国際公開日: 27.11.2008 国際出願日: 13.05.2008
IPC:
H01L 33/54 (2010.01), H01L 33/48 (2010.01)
出願人: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HOSHINA, Takaharu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HOSHINA, Takaharu; (JP)
代理人: AOKI, Atsushi; SEIWA PATENT & LAW Toranomon 37 Mori Bldg. 5-1, Toranomon 3-chome Minato-ku, Tokyo 1058423 (JP)
優先権情報:
2007-131918 17.05.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a light-emitting device having an excellent light extraction efficiency, wherein self absorption of light by a light-emitting element is reduced. Specifically disclosed is a light-emitting device comprising a substrate, a semiconductor light-emitting element arranged on the substrate directly or through a sub-mount, and a sealing structure for sealing the semiconductor light-emitting element. This light-emitting device is characterized in that the sealing structure has a bottom surface which is parallel to the bottom surface of the semiconductor light-emitting element, and the lateral surface of the sealing structure is inclined to the bottom surface thereof.
(FR)L'invention concerne un dispositif émettant de la lumière ayant une excellente efficacité d'extraction de lumière, l'auto-absorption de lumière par un élément émettant de la lumière étant réduite. L'invention concerne spécifiquement un dispositif émettant de la lumière comprenant un substrat, un élément émettant de la lumière semi-conducteur disposé sur le substrat directement ou à travers une embase, et une structure d'étanchéité pour rendre étanche l'élément émettant de la lumière semi-conducteur. Ce dispositif émettant de la lumière est caractérisé par le fait que la structure d'étanchéité a une surface inférieure qui est parallèle à la surface inférieure de l'élément émettant de la lumière semi-conducteur, et la surface latérale de la structure d'étanchéité est inclinée vers la surface inférieure de celle-ci.
(JA)本発明の目的は、発光素子の光自己吸収を低減し、優れた光取り出し効率を有する発光装置を提供することである。 本発明の発光装置は、基板、該基板上にサブマウントを介してまたは介さずに設けられた半導体発光素子および該半導体発光素子を封止する封止構造体からなり、該封止構造体は該半導体発光素子の底面に平行な底面を有し、該封止構造体の側面は底面に対して傾斜していることを特徴とする発光装置である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)