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1. (WO2008143187) 半導体デバイス用基板洗浄液、及び半導体デバイス用基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/143187    国際出願番号:    PCT/JP2008/059072
国際公開日: 27.11.2008 国際出願日: 16.05.2008
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 14-1, Shiba 4-chome, Minato-ku, Tokyo 1080014 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAWASE, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IKEMOTO, Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ITOU, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIKAWA, Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KAWASE, Yasuhiro; (JP).
IKEMOTO, Makoto; (JP).
ITOU, Atsushi; (JP).
ISHIKAWA, Makoto; (JP)
代理人: SENMYO, Kenji; 4th Floor, SIA Kanda Square, 17, Kanda-konyacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010035 (JP)
優先権情報:
2007-133083 18.05.2007 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE CLEANING SOLUTION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SOLUTION DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT POUR UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体デバイス用基板洗浄液、及び半導体デバイス用基板の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a substrate cleaning solution for semiconductor devices. The solution is excellent in removing and preventing re-adhesion of substrate surface contamination due to particles and organic materials, metal contamination and composite contamination due to organic materials and metal, and performs high quality cleaning without corroding the surface of the substrate. Especially a cleaning solution having excellent characteristics for cleaning low-dielectric (Low-k) materials, which easily repel chemicals as being hydrophobic and do not easily permit particles to be removed, is provided. The solution is characterized in containing (A) an organic acid and (B) a nonionic surfactant having an HLB value of 5 or more but less than 13.
(FR)La présente invention a trait à une solution de nettoyage de substrat pour des dispositifs à semi-conducteur. La solution supprime et empêche parfaitement la ré-adhérence de la contamination de surface de substrat due aux particules et aux matières organiques, de la contamination de métal et de la contamination de composite due aux matières organiques et au métal, et elle permet d'obtenir un nettoyage de qualité sans corroder la surface du substrat. En particulier, la présente invention a trait à une solution de nettoyage ayant d'excellentes caractéristiques permettant de nettoyer les matériaux faiblement diélectriques (Low-k), qui repousse facilement les produits chimiques considérés comme hydrophobes et qui ne permet pas que les particules soient facilement éliminées. La solution est caractérisée en ce qu'elle contient (A) un acide organique et (B) un tensioactif non ionique ayant une valeur HLB de 5 ou plus mais inférieure à 13.
(JA) 基板表面に付着したパーティクルや有機物の汚染、金属汚染及び有機物と金属による複合汚染の除去性と再付着防止性に優れ、基板表面を腐食することなく、高度に清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。特に、疎水性のため薬液をはじき易く、パーティクル除去性が悪い低誘電率(Low-k)材料の洗浄性に優れた洗浄液を提供する。  (A)有機酸及び(B)HLB値が5以上13未満の非イオン型界面活性剤を含有することを特徴とする半導体デバイス用基板洗浄液。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)