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1. (WO2008143117) トンネル型磁気検出素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/143117    国際出願番号:    PCT/JP2008/058903
国際公開日: 27.11.2008 国際出願日: 15.05.2008
IPC:
H01L 43/08 (2006.01), G01R 33/09 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01)
出願人: ALPS ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-7, Yukigaya-otsukamachi, Ota-ku, Tokyo 1458501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NISHIYAMA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HASEGAWA, Naoya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAITO, Masamichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IDE, Yosuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NISHIMURA, Kazumasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKABAYASHI, Ryo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOBAYASHI, Hidekazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NISHIYAMA, Yoshihiro; (JP).
HASEGAWA, Naoya; (JP).
SAITO, Masamichi; (JP).
IDE, Yosuke; (JP).
NISHIMURA, Kazumasa; (JP).
NAKABAYASHI, Ryo; (JP).
KOBAYASHI, Hidekazu; (JP)
代理人: NOZAKI, Teruo; Oak Ikebukuro Building 3F 1-21-11 Higashi-Ikebukuro Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
2007-132480 18.05.2007 JP
発明の名称: (EN) TUNNEL TYPE MAGNETIC DETECTION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE DÉTECTION MAGNÉTIQUE DE TYPE À EFFET TUNNEL
(JA) トンネル型磁気検出素子
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a tunnel type magnetic detection element which can increase a resistance change ratio (ΔR/R) [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A metal insert layer (14) formed of Ti, Mg, Ir-Mn, Ru, or Pt is inserted between a first soft magnetic layer (13) and a second soft magnetic layer (15). The first soft magnetic layer (13) and the second soft magnetic layer (15) are magnetically coupled and magnetized in the same direction. An enhance layer (12) is formed between the first soft magnetic layer (13) and an insulation barrier layer (5). Thus, it is possible to obtain an tunnel type magnetoresistive element having the insulation barrier layer (5) formed of Mg-O having an increased resistance change ratio (ΔR/R).
(FR)L'invention concerne un élément de détection magnétique de type à effet tunnel pouvant augmenter un rapport de changement de résistance (ΔR/R). Une couche d'insertion métallique (14) constituée de Ti, Mg, Ir-Mn, Ru ou Pt est insérée entre une première couche magnétique tendre (13) et une seconde couche magnétique tendre (15). La première couche magnétique tendre (13) et la seconde couche magnétique tendre (15) sont couplées par aimantation et magnétisées dans la même direction. Une couche de renfort (12) est formée entre la première couche magnétique tendre (13) et une couche barrière d'isolation (5). On peut ainsi obtenir un élément magnétorésistant de type à effet tunnel comportant la couche barrière d'isolation (5) en Mg-O de rapport de changement de résistance (ΔR/R) accru.
(JA)【課題】 特に、抵抗変化率(ΔR/R)を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。 【解決手段】 第1軟磁性層13と第2軟磁性層15との間に、Ti、Mg、Ir-Mn、RuあるいはPtのうち少なくともいずれか1種で形成された金属挿入層14が挿入されている。前記第1軟磁性層13と前記第2軟磁性層15は、磁気的に結合されて同一方向に磁化されている。前記第1軟磁性層13と絶縁障壁層5との間にはエンハンス層12が形成されている。これにより、絶縁障壁層5がMg-Oで形成されたトンネル型磁気抵抗効果素子において、従来に比べて、抵抗変化率(ΔR/R)を増大させることが可能である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)