WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2008143066) 半導体素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/143066    国際出願番号:    PCT/JP2008/058781
国際公開日: 27.11.2008 国際出願日: 13.05.2008
IPC:
H01L 33/28 (2010.01)
出願人: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008921 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHIBATA, Hajime [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAMPO, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUBARA, Koji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMADA, Akimasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKURAI, Keiichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIZUKA, Shogo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NIKI, Shigeru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SHIBATA, Hajime; (JP).
TAMPO, Hitoshi; (JP).
MATSUBARA, Koji; (JP).
YAMADA, Akimasa; (JP).
SAKURAI, Keiichiro; (JP).
ISHIZUKA, Shogo; (JP).
NIKI, Shigeru; (JP)
優先権情報:
2007-136859 23.05.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ELÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子
要約: front page image
(EN)A ZnO based optical semiconductor element in which emission efficiency is enhanced. The semiconductor element B consists of n-type Zn1-zMgzO (barrier layer) (11)/ Zn1-xMgxO (active layer) (15)/p-type Zn1-yMgyO (barrier layer) (17) and has a structure for emitting light from the active layer (15). Electrodes (23, 21) are formed for respective barrier layers (11, 17) and light is emitted from the ZnO (active layer)(15) by applying a voltage between both electrodes (23, 21). There is a relation of x
(FR)L'élément semi-conducteur optique à base de ZnO selon la présente invention permet d'obtenir une efficacité d'émission améliorée. L'élément semi-conducteur B est constitué de Zn1-zMgzO de type N (couche d'arrêt) (11)/ Zn1-xMgxO (couche active) (15)/Zn1-yMgyO de type P (couche d'arrêt) (17) et présente une structure permettant d'émettre de la lumière à partir de la couche active (15). Les électrodes (23, 21) sont formées pour les couches d'arrêt respectives (11, 17) et de la lumière est émise à partir du ZnO (couche active)(15) en appliquant une tension entre les deux électrodes (23, 21). Les relations suivantes x < y et x < z existent et des valeurs telles que x = 0,1, y = 0,15 et z = 0,16 peuvent être sélectionnées, par exemple. Des valeurs telles que x = 0,15, y = 0,25 et z = 0,24 peuvent également être sélectionnées. A cet égard, la longueur d'onde d'émission peut être décalée du côté de la courte longueur d'onde en augmentant la valeur x de la couche active. Dans la mesure où l'efficacité d'émission peut être améliorée en augmentant la valeur x, il est possible d'obtenir un excellent élément électroluminescent.
(JA) 本願発明の目的は、ZnO系の光半導体素子における発光効率を増大させることである。光半導体素子Bは、n型Zn1-zMgO(バリア層)11/Zn1-xMgO(活性層)15/p型Zn1-yMgO(バリア層)17からなり、活性層15から発光する構造である。それぞれのバリア層11・17に対して電極23・21を形成し、両電極23・21間に電圧を印加することにより、ZnO(活性層)15からの発光が得られる。尚、ここで、x<yかつx<zの関係があり、例えば、x=0.1、y=0.15、z=0.16などの値を例として選択することができる。x=0.15、y=0.25、z=0.24などの値も選択可能である。この際、活性層のx値を大きくすることにより、発光波長を短波長側にシフトさせることができる。さらに、上記の結果に示したように、x値を大きくすると、発光効率を高くすることができるため、発光素子としては優れていることがわかる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)