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1. (WO2008142970) 薄膜の結晶化方法、薄膜半導体装置の製造方法、電子機器の製造方法、および表示装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/142970    国際出願番号:    PCT/JP2008/058275
国際公開日: 27.11.2008 国際出願日: 30.04.2008
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP) (米国を除く全ての指定国).
UMEZU, Nobuhiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TSUKIHARA, Koichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUNOBU, Goh [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INAGAKI, Yoshio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TATSUKI, Koichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HOTTA, Shin [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIRAI, Katsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: UMEZU, Nobuhiko; (JP).
TSUKIHARA, Koichi; (JP).
MATSUNOBU, Goh; (JP).
INAGAKI, Yoshio; (JP).
TATSUKI, Koichi; (JP).
HOTTA, Shin; (JP).
SHIRAI, Katsuya; (JP)
代理人: IWASAKI, Sachikuni; c/o Miyoshi International Patent Office, Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2007-132785 18.05.2007 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR CRYSTALLIZING THIN FILM, PROCESS FOR PRODUCING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR PRODUCING ELCTRONIC EQUIPMENT, AND PROCESS FOR PRODUCING DISPLAY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE CRISTALLISER UN FILM MINCE, PROCESSUS DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR À FILM MINCE, PROCESSUS DE PRODUCTION D'UN ÉQUIPEMENT ÉLECTRONIQUE ET PROCESSUS DE PRODUCTION D'UN ÉCRAN
(JA) 薄膜の結晶化方法、薄膜半導体装置の製造方法、電子機器の製造方法、および表示装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A gate insulating film (13) is formed on a substrate (1) so as to cover a gate electrode (11), and an amorphous silicon film (a semiconductor thin film) (15) is formed. A light absorbing layer (19) is formed on the upper part of the amorphous silicon film (15) through a buffer layer (17). An energy radiation (Lh) is applied to the light absorbing layer (19) from a continuous wave oscillation laser such as a semiconductor laser. According to the above constitution, while oxidizing only the surface side of the light absorbing layer (19), the amorphous silicon film (15) is crystallized by heat produced by thermal conversion of an energy radiation (Lh) in the light absorbing layer (19) and heat produced by the oxidation reaction to form a microcrystalline silicon film (15a). According to the above constitution, a method for crystallizing a thin film, which can realize a simpler procedure and a lower cost while enjoying good controllability, can be provided.
(FR)Selon la présente invention, un film isolant de grille (13) est formé sur un substrat (1) de manière à recouvrir une électrode de grille (11), et un film de silicium amorphe (un film mince semi-conducteur) (15) est formé. Une couche photo-absorbante (19) est formée sur la partie supérieure du film de silicium amorphe (15) à travers une couche tampon (17). Un rayonnement d'énergie (Lh) est appliqué à la couche photo-absorbante (19) à partir d'un laser à oscillation continue tel qu'une diode laser. Selon la constitution mentionnée ci-dessus, alors que seul le côté de la surface de la couche photo-absorbante (19) est oxydé, le film de silicium amorphe (15) est cristallisé par la chaleur produite par la conversion thermique d'un rayonnement d'énergie (Lh) dans la couche photo-absorbante (19) et la chaleur produite par la réaction d'oxydation pour former un film de silicium microcristallin (15a). Selon la constitution mentionnée ci-dessus, il est possible de fournir un procédé permettant de cristalliser un film mince, qui peut permettre d'obtenir une procédure plus simple et un coût plus faible tout en présentant une bonne capacité de contrôle.
(JA) 基板(1)上にゲート電極(11)を覆う状態でゲート絶縁膜(13)を成膜し、さらに非晶質シリコン膜(半導体薄膜)(15)を成膜する。この上部にバッファ層(17)を介して光吸収層(19)を成膜する。光吸収層(19)に対して、半導体レーザーのような連続発振レーザーからエネルギー線Lhを照射する。これにより、光吸収層Lhの表面側のみ酸化させつつ、光吸収層(19)においてエネルギー線Lhの熱変換によって発生させた熱と酸化の反応熱とにより非晶質シリコン膜(15)を結晶化させた美結晶シリコン膜(15a)とする。これにより、制御性が良好でありながらも、より簡便な手順で低コスト化された薄膜の結晶化方法を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)