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1. (WO2008142796) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/142796    国際出願番号:    PCT/JP2007/060631
国際公開日: 27.11.2008 国際出願日: 24.05.2007
IPC:
H01L 29/74 (2006.01), H02M 1/08 (2006.01)
出願人: TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION [JP/JP]; 13-16, Mita 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1080073 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUJIMOTO, Takafumi [JP/JP]; (米国のみ)
発明者: FUJIMOTO, Takafumi;
代理人: SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE 1-12-9, Toranomon Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)A semiconductor device comprising optical direct fire thyristors (11-1n) fired by optical gate signals (L1-Ln), first optical fibers (21a-2na) connected to the individual optical direct fire thyristors (11-1n) to transmit the optical gate signals (l1-Ln), second optical fibers (21b-2nb) for extending the first optical fibers (21a-2na), and optical fiber relays (51-5n) which connect the first optical fibers (21a-2na) and the second optical fibers (21b-2nb) and input the optical gate signals (L1-Ln) output from the second optical fibers (21b-2nb) into the first optical fibers (21a-2na).
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comportant des thyristors (11-1n) à déclenchement optique direct déclenchés par des signaux optiques de grille (L1-Ln); des premières fibres optiques (21a-2na) connectées aux thyristors à déclenchement optique direct (11-1n) individuels pour transmettre les signaux optiques de grille (L1-Ln); des secondes fibres optiques (21b-2nb) pour prolonger les premières fibres optiques (21a-2na); et des relais à fibres optiques (51-5n) qui connectent les premières fibres optiques (21a-2na) et les secondes fibres optiques (21b-2nb) et introduisent les signaux optiques de grille (L1-Ln) délivrés par les secondes fibres optiques (21b-2nb) dans les premières fibres optiques (21a-2na).
(JA) 光ゲート信号(L1~Ln)により点弧される光直接点弧サイリスタ(11~1n)と、前記光直接点弧サイリスタ(11~1n)に接続され、前記光ゲート信号(L1~Ln)を伝送するための第1の光ファイバ(21a~2na)と、前記第1の光ファイバ(21a~2na)を延長するための第2の光ファイバ(21b~2nb)と、前記第1の光ファイバ(21a~2na)と前記第2の光ファイバ(21b~2nb)とを接続し、前記第2の光ファイバ(21b~2nb)から出力される前記光ゲート信号(L1~Ln)を、前記第1の光ファイバ(21a~2na)に入力する光ファイバ間中継手段(51~5n)とを備えた半導体装置。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)