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1. (WO2008142760) 電力用半導体モジュール
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/142760    国際出願番号:    PCT/JP2007/060252
国際公開日: 27.11.2008 国際出願日: 18.05.2007
予備審査請求日:    21.08.2008    
IPC:
H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
出願人: Sansha Electric Manufacturing Co., ltd. [JP/JP]; 3-1-56, Nishiawaji, Higashiyodogawa-ku, Osaka-shi Osaka 5330031 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SODA, Osamu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OHNISHI, Yuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INAMI, Kazunori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
UCHIDA, Toshio [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SODA, Osamu; (JP).
OHNISHI, Yuji; (JP).
INAMI, Kazunori; (JP).
UCHIDA, Toshio; (JP)
代理人: OHTSUKI, Satoshi; Shin-Osaka 2nd Nichidai Bldg. 8F 1-6-14, Higashinakajima Higashiyodogawa-ku, Osaka-shi Osaka 5330033 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR MODULE FOR ELECTRIC POWER
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR POUR ALIMENTATION ÉLECTRIQUE
(JA) 電力用半導体モジュール
要約: front page image
(EN)It is intended to inhibit any warpage of ceramic substratum and prevent any decrease of radiation efficiency. The semiconductor module includes a module housing suitable for fitting of a radiator and, held by the module housing, a common unit. The common unit includes a ceramic substratum with not only a circuit face fitted with a semiconductor element but also a radiation face abutting on the radiator and includes a package formed by, while exposing the radiation face, sealing the circuit face with the use of a heat-resistant resin. Each of the circuit face and the radiation face consists of metal layer (51) formed on the ceramic substratum. The metal layer (51) constituting the radiation face has, due to formation of buffer pattern (512) consisting of a groove portion extending along the peripheral border thereof, radiation pattern (510) provided inside the buffer pattern (512) and peripheral pattern (511) provided outside the buffer pattern (512). By virtue of this structuring, any warpage of ceramic substratum can be inhibited and any decrease of radiation efficiency can be prevented.
(FR)L'invention concerne un procédé destiné à empêcher le gauchissement d'un substrat en céramique et une réduction quelconque de l'efficacité rayonnante. Un module semi-conducteur comprend un logement approprié pour recevoir un élément rayonnant maintenu par ledit logement et une unité commune. Ladite unité commune comprend un substrat en céramique doté non seulement d'une face de circuit avec un élément semi-conducteur mais également d'une face rayonnante venant en butée sur l'élément rayonnant, et un boîtier formé par scellement de la face de circuit au moyen d'une résine thermorésistante tout en exposant ladite face rayonnante. La face de circuit et la face rayonnante comprennent une couche métallique (51) formée sur le substrat en céramique. La couche métallique (51) constituant la face rayonnante comprend, du fait de la formation d'un motif tampon (512), une partie rainure s'étendant le long de la périphérie de ladite face rayonnante, un motif rayonnant (510) situé à l'intérieur du motif tampon (512) et un motif périphérique (511) situé à l'extérieur du motif tampon (512). Du fait de cette structure, il est possible d'empêcher le gauchissement du substrat en céramique et la réduction de l'efficacité rayonnante.
(JA) セラミック基板の反りを抑制し、かつ、放熱効率が低下するのを防止する。 放熱器が取り付けられるモジュール筐体と、モジュール筐体によって保持される共通ユニットからなる。共通ユニットは、半導体素子が配設された回路面及び放熱器に当接する放熱面を有するセラミック基板と、放熱面を露出させるとともに回路面を耐熱性樹脂により封止して形成されるパッケージとを有する。回路面及び放熱面は、それぞれセラミック基板に形成された金属層51からなり、放熱面を形成している金属層51は、その周縁部に沿って延びる溝部からなる緩衝パターン512が形成されることにより、緩衝パターン512よりも内側に形成された放熱パターン510と、緩衝パターン512よりも外側に形成された外周パターン511とを有する。この様な構成により、セラミック基板の反りを抑制し、かつ、放熱効率が低下するのを防止することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)