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1. (WO2008140058) シリコン基材の加工方法とその加工品および加工装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/140058    国際出願番号:    PCT/JP2008/058666
国際公開日: 20.11.2008 国際出願日: 09.05.2008
IPC:
C25F 3/12 (2006.01), B23H 3/06 (2006.01), B23H 3/08 (2006.01), C25D 11/32 (2006.01)
出願人: QUANTUM 14 KK [JP/JP]; 1204, Tokyo University of Agriculture and Technology INCUBATOR 24-16, Naka-machi 2-chome, Koganei-shi, Tokyo 1848588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
WARABISAKO, Terunori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMADA, Toshikazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOSHIDA, Nobuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
GELLOZ, Bernard [FR/JP]; (JP) (米国のみ).
KANEHORI, Keiichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: WARABISAKO, Terunori; (JP).
SHIMADA, Toshikazu; (JP).
KOSHIDA, Nobuyoshi; (JP).
GELLOZ, Bernard; (JP).
KANEHORI, Keiichi; (JP)
代理人: NISHIZAWA, Toshio; Kudan-Horie Bldg. 6F, 3-14, Kudan-kita 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020073 (JP)
優先権情報:
2007-125053 09.05.2007 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PROCESSING SILICON BASE MATERIAL, ARTICLE PROCESSED BY THE METHOD, AND PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'UN MATÉRIAU À BASE DE SILICIUM, ARTICLE TRAITÉ PAR LE PROCÉDÉ ET APPAREIL DE TRAITEMENT
(JA) シリコン基材の加工方法とその加工品および加工装置
要約: front page image
(EN)In a state where a silicon base material (1) is used as an anode, a fine platinum member (2) is used as a cathode, and an electrolyte solution (4) is arranged between the anode and the cathode, anodic oxidation is performed in constant current mode under the conditions where porous formation mode and electrolytic polishing mode mixedly exist. The platinum member (2) is fitted in the silicon base material (1) with silicon elution, and processes such as hole making, cutting, single-side pressing are performed. Since the silicon base material can be processed at a room temperature with small energy, the crystal quality of the processing surface is not deteriorated. Thus, efficient and highly accurate processing can be performed without using a mechanical method, which consumes much material in conventional processes such as cutting of solar cell silicon base material, and without using laser whose energy unit cost is high, and furthermore, without leaving a crystal damage on a processed surface.
(FR)Selon l'invention, dans un état où un matériau à base de silicium (1) est utilisé en tant qu'anode, un élément mince en platine (2) est utilisé en tant que cathode et une solution d'électrolyte (4) est disposée entre l'anode et la cathode, une oxydation anodique est réalisée dans un mode à courant constant dans les conditions où un mode de formation poreux et un mode de polissage électrolytique existent de façon mélangée. L'élément en platine (2) est adapté dans le matériau à base de silicium (1) avec une élution de silicium, et des procédés, tels que le perçage d'un trou, la découpe, la compression sur un seul côté, sont réalisés. Puisque le matériau à base de silicium peut être traité à une température ambiante avec une énergie faible, la qualité cristalline de la surface de traitement n'est pas détériorée. Ainsi, un traitement efficace et extrêmement précis peut être réalisé sans utiliser un procédé mécanique, qui consomme beaucoup de matériau dans des procédés classiques tels que la découpe de matériau à base de silicium de cellule solaire, et sans utiliser un laser dont le coût unitaire énergétique est élevé et, en outre, sans provoquer un endommagement cristallin sur une surface traitée.
(JA)シリコン基材1を陽極とし、微細な白金部材2を陰極とし、その間に電解液4の介在する状況において、多孔質形成と電解研磨の両モードが混在する条件で定電流モードで陽極酸化を行う。シリコンの溶出に伴い白金部材2をシリコン基材1中に嵌入せしめ、鑽孔、切断、片押し等の加工を行う。使用エネルギーが少なく、室温で加工できるため、加工表面の結晶品質の低下が無い。これにより、従来の太陽電池用シリコン基材の切断等の加工での材料消費の大きな機械的方法やエネルギー単価の高いレーザー等を用いることなく、しかも加工面には結晶損傷を残すことなく、効率的に高精度で加工することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)