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1. (WO2008139898) 半導体装置の製造方法および半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/139898    国際出願番号:    PCT/JP2008/058099
国際公開日: 20.11.2008 国際出願日: 25.04.2008
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-Cho, Ukyo-Ku, Kyoto-Shi, Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAISHI, Masaru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKAISHI, Masaru; (JP)
代理人: SANO, Shizuo; Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan 2-6, Tenmabashi-Kyomachi, Chuo-Ku Osaka-Shi, Osaka 5400032 (JP)
優先権情報:
2007-118932 27.04.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法および半導体装置
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor device manufacturing method wherein complication of manufacturing process is suppressed. The method for manufacturing a semiconductor device (1) is provided with a step of forming trenches (2a, 2b) so that the width of the trench (2a) is larger than the width of the trench (2b); a step of arranging electrodes (3, 4); a step of arranging an oxide film (14 (14b)); a step of removing the oxide film (14) so that the upper surface of the electrode (3) is exposed and that the upper surface of the electrode (4) is not exposed; and a step of arranging an oxide film (15); a step of removing the oxide film (15) so that the upper surface of the electrode (3) is exposed and that the upper surfaces of the silicon substrate (2) and the electrode (4) are not exposed; and a step of arranging a wiring layer (6) on the electrode (3).
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur dans lequel toute complication du procédé de fabrication est supprimée. Le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur (1) est pourvu d'une étape consistant à former des tranchées (2a, 2b) de manière à ce que la largeur de la tranchée (2a) soit supérieure à la largeur de la tranchée (2b) ; d'une étape consistant à disposer des électrodes (3, 4) ; d'une étape consistant à disposer un film d'oxyde (14 (14a)) ; d'une étape consistant à supprimer le film d'oxyde (14) de manière à ce que la surface supérieure de l'électrode (3) soit exposée et de manière à ce que la surface supérieure de l'électrode (4) ne soit pas exposée ; et d'une étape consistant à disposer un film d'oxyde (15) ; d'une étape consistant à supprimer le film d'oxyde film (15) de manière à ce que la surface supérieure de l'électrode (3) soit exposée et de manière à ce que les surfaces supérieures du substrat de silicium (2) et de l'électrode (4) ne soient pas exposées ; et d'une étape consistant à disposer une couche de câblage (6) sur l'électrode (3).
(JA) 製造プロセスが煩雑になるのを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。この半導体装置(1)の製造方法は、トレンチ(2a)の幅が、トレンチ(2b)の幅より大きくなるように、トレンチ(2aおよび2b)を形成する工程と、電極(3および4)を配置する工程と、酸化膜(14(14b))を配置する工程と、電極(3)の上面が露出するとともに、電極(4)の上面が露出しないように、酸化膜(14)を除去する工程と、酸化膜(15)を配置する工程と、電極(3)の上面が露出するとともに、シリコン基板(2)と電極(4)との上面が露出しないように、酸化膜(15)を除去する工程と、電極(3)上に配線層(6)を配置する工程とを備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)