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1. (WO2008139875) 真空処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/139875    国際出願番号:    PCT/JP2008/057892
国際公開日: 20.11.2008 国際出願日: 24.04.2008
IPC:
C23C 16/458 (2006.01), C23C 14/50 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
出願人: CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KUMAGAI, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIBASHI, Keiji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KUMAGAI, Akira; (JP).
ISHIBASHI, Keiji; (JP)
代理人: WATANABE, Keisuke; 6th Floor, Mitsui Sumitomo Ginko Okachimachi Bld. 11-4, Taito 4-chome, Taito-ku, Tokyo 1100016 (JP)
優先権情報:
2007-123141 08.05.2007 JP
発明の名称: (EN) VACUUM TREATMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT SOUS VIDE
(JA) 真空処理装置
要約: front page image
(EN)Provided is a vacuum treatment device capable of uniformly treating the whole of a substrate in a vacuum container. In the vacuum treatment device in which the substrate (1) is placed and held in the recess of a substrate holder (2), the difference (t2) between the heights of the surface of the substrate holder (2) and the surface of the substrate (1) to be treated is set to be equal to or shorter than 0.2 mm, and the distance (t1) between the side surface of the substrate (1) and the inner surface of the recess of the substrate holder (2) is set to be equal to or shorter than 5 mm.
(FR)L'invention concerne un dispositif de traitement sous vide capable de traiter de manière uniforme la totalité d'un substrat dans un conteneur sous vide. Dans le dispositif de traitement sous vide dans lequel le substrat (1) est placé et maintenu dans un emplacement en creux d'un porte-substrat (2), la différence (t2) séparant les hauteurs de la surface du porte-substrat (2) et la surface du substrat (1) à traiter est fixée égale ou inférieure à 0,2 mm, et la distance (t1) séparant la surface latérale du substrat (1) et la surface intérieure de l'emplacement en creux du porte-substrat (2) est fixée égale ou inférieure à 0,5 mm.
(JA) 真空容器内で基板に処理を施す真空処理装置において、係る処理を基板全体で均一に行いうる真空処理装置を提供する。  基板ホルダー2の凹部内に基板1を載置して保持する真空処理装置において、基板ホルダー2の表面と基板1の被処理表面との高さの差t2を0.2mm以下に、基板1の側面と基板ホルダー2の凹部の内側面との距離t1を5mm以下とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)