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1. (WO2008139621) 半導体素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/139621    国際出願番号:    PCT/JP2007/059931
国際公開日: 20.11.2008 国際出願日: 15.05.2007
予備審査請求日:    01.04.2008    
IPC:
H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: Canon ANELVA Corporation [JP/JP]; 2-5-1 Kurigi, Asao-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 215-8550 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SEINO, Takuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IKEMOTO, Manabu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
DATE, Hiroki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SEINO, Takuya; (JP).
IKEMOTO, Manabu; (JP).
DATE, Hiroki; (JP)
代理人: OKABE, Masao; No. 602, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCESSUS PERMETTANT DE PRODUIRE UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子の製造方法
要約: front page image
(EN)A dielectric insulating film of HfO, etc. is produced through a process comprising exposing fluorine radicals on the surface of a semiconductor substrate, cleaning the substrate surface, performing hydrogen termination treatment with fluorine radicals or a hydrogen compound (SiH4, etc.), sputtering with Hf, etc. and performing oxidation/nitriding. This process is carried out without exposing of the substrate to atmospheric air, so that there can be obtained a C-V curve of low hysteresis and realized excellent device characteristics with respect to MOS-FET.
(FR)Un film isolant diélectrique de HfO, etc. est produit au moyen d'un processus comprenant les étapes consistant à exposer des radicaux de fluor sur la surface d'un substrat semi-conducteur, nettoyer la surface du substrat, effectuer un traitement d'arrêt à l'hydrogène avec des radicaux de fluor ou un composé d'hydrogène (SiH4, etc.), pulvériser avec Hf, etc. et effectuer une oxydation/nitratation. Ce processus est réalisé sans exposer le substrat à l'air atmosphérique, de sorte qu'il est possible d'obtenir une courbe C-V de faible hystérésis et d'obtenir d'excellentes caractéristiques du dispositif en ce qui concerne le transistor à effet de champ de semi-conducteur d'oxyde de métal.
(JA)フッ素ラジカルを半導体基板の表面に露出して基板表面を洗浄後に、フッ素ラジカル又は水素化合物(SiH4等)で水素終端処理をして、Hf等をスパッタした後、酸化・窒化しHfO等の誘電体絶縁膜を形成する。これらの工程中、基板は大気に晒されることなく行われ、ヒステリシスの小さいC-V曲線が得られ、MOS-FETにあって良好なデバイス特性が実現される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)