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1. (WO2008136505) 半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/136505    国際出願番号:    PCT/JP2008/058385
国際公開日: 13.11.2008 国際出願日: 01.05.2008
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
出願人: IDEMITSU KOSAN CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YANO, Koki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INOUE, Kazuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
UTSUNO, Futoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KASAMI, Masashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HONDA, Katsunori [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YANO, Koki; (JP).
INOUE, Kazuyoshi; (JP).
UTSUNO, Futoshi; (JP).
KASAMI, Masashi; (JP).
HONDA, Katsunori; (JP)
代理人: WATANABE, Kihei; Shibashin Kanda Bldg. 3rd Floor 26, Kanda Suda-cho 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1010041 (JP)
優先権情報:
2007-123776 08.05.2007 JP
2007-135831 22.05.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, THIN FILM TRANSISTOR AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE THIN FILM TRANSISTOR
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DU TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(JA) 半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法
要約: front page image
(EN)Provided are a semiconductor device and a thin film transistor which can reduce management cost, and furthermore, can reduce manufacturing cost by reducing manufacturing steps. Methods for manufacturing such semiconductor device and thin film transistor are also provided. The method is provided for manufacturing a thin film transistor (2) having a semiconductor, which is composed of a prescribed material and is to be an active layer (41), and a conductor, which is composed of a material having the same composition as that of a prescribed material and is to be at last a source electrode (51) or a drain electrode (53) or a pixel electrode (55). The method has a step of collectively film-forming a processing subject composed of a prescribed amorphous material, and a conductor (a source electrode (51), a source wiring (52), a drain electrode (53), a drain wiring (54) and a pixel electrode (55)), and performing further collective formation, and a step of forming the active layer (41) by crystallizing the formed processing subject.
(FR)L'invention porte sur un dispositif semi-conducteur et sur un transistor à couches minces permettant de réduire les coûts de gestion et, de plus, de diminuer les coûts de fabrication grâce à une réduction des étapes de fabrication. L'invention concerne également les procédés de fabrication desdits dispositif semi-conducteur et transistor à couches minces. Est décrit un procédé de fabrication d'un transistor à couches minces (2) comprenant un semi-conducteur, constitué d'un matériau prescrit et devant être une couche active (41) et comprenant également un conducteur, constitué d'un matériau ayant une composition identique à celle du matériau prescrit et devant être au moins une électrode source (51) ou une électrode de drain (53) ou une électrode de pixel (55). Le procédé comprend une étape de formation de couche de manière collective sur un objet de traitement constitué d'un matériau amorphe prescrit et d'un conducteur (une électrode source (51), un câblage source (52), une électrode de drain (53), un câblage de drain (54), et une électrode de pixel), l'exécution ensuite d'une formation de manière collective, et une étape de formage de la couche active (41) par cristallisation de l'objet de traitement préalablement formé.
(JA) 管理コストを低減し、さらに、製造工程を削減して製造原価のコストダウンを図ることの可能な半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法の提案を目的とする。  所定の材料からなり、活性層41となる半導体と、所定の材料と同じ組成の材料からなり、ソース電極51、ドレイン電極53及び画素電極55の少なくとも一つとなる導電体とを備えた薄膜トランジスタ2の製造方法であって、非晶質の所定の材料からなる被処理体及び導電体(ソース電極51、ソース配線52、ドレイン電極53、ドレイン配線54及び画素電極55)を一括成膜し、さらに一括形成する工程と、形成された被処理体を結晶化させて活性層41とする工程とを有する方法としてある。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)