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1. (WO2008136499) 微細化パターン形成用水溶性樹脂組成物およびこれを用いた微細パターン形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/136499    国際出願番号:    PCT/JP2008/058341
国際公開日: 13.11.2008 国際出願日: 01.05.2008
IPC:
G03F 7/40 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: AZ ELECTRONIC MATERIALS (JAPAN)K.K. [JP/JP]; Bunkyo Green Court, 2-28-8, Honkomagome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130021 (JP) (AE, AG, AL, AM, AO, AU, AZ, BA, BB, BF, BH, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CI, CM, CN, CO, CR, CU, DM, DO, DZ, EC, EG, GA, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GT, GW, HN, HR, ID, IL, IN, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LY, MA, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, RS, RU, SC, SD, SG, SL, SM, SN, SV, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
AZ ELECTRONIC MATERIALS USA CORP. [US/US]; 70 Meister Avenue, Somerville, New Jersey 08876 (US) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR only).
HONG, Sung-Eun [KR/US]; (US) (米国のみ).
TAKANO, Yusuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KANG, Wen-Bing [CN/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HONG, Sung-Eun; (US).
TAKANO, Yusuke; (JP).
KANG, Wen-Bing; (JP)
代理人: KANAO, Hiroki; Kanae International Patent Office Bandai Bldg. 2nd Floor 10-14, Kandaawajicho 2-chome Chiyoda-ku Tokyo 1010063 (JP)
優先権情報:
2007-120833 01.05.2007 JP
発明の名称: (EN) WATER-SOLUBLE RESIN COMPOSITION FOR THE FORMATION OF MICROPATTERNS AND PROCESS FOR THE FORMATION OF MICROPATTERNS WITH THE SAME
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SOLUBLE DANS L'EAU POUR LA FORMATION DE MICRO-MOTIFS ET PROCESSUS DE FORMATION DE MICRO-MOTIFS AVEC CELLE-CI
(JA) 微細化パターン形成用水溶性樹脂組成物およびこれを用いた微細パターン形成方法
要約: front page image
(EN)A process which comprises applying a water-soluble resin composition comprising a water-soluble vinyl resin, a compound having at least two amino groups in the molecule, a solvent, and, if necessary, an additive such as a surfactant on a resist pattern (2) formed on a substrate (1) to form a water-soluble resin film (3), modifying part of the water-soluble resin film adjacent to the resist pattern through mixing to form a water -insolubilized layer (4) which cannot be removed by water washing on the surface of the resist pattern, and removing unmodified part of the water-soluble resin film by water washing and which enables the effective scale-down of separation size and hole opening size of a resist pattern to a level finer than the limit of resolution of the wavelength of exposure. It is preferable to use as the water-soluble vinyl resin a homopolymer of a nitrogen-containing vinyl monomer such as acrylamine, acrylamide, vinylpyrrolidone or vinylimidazole, a copolymer of two or more nitrogen-containing vinyl monomers, or a copolymer of at least one nitrogen-containing vinyl monomer and at least one nitrogen-free vinyl monomer.
(FR)Processus qui comprend l'application d'une composition de résine soluble dans l'eau comprenant une résine vinylique soluble dans l'eau, un composé ayant au moins deux groupes amino dans la molécule, un solvant, et, si nécessaire, un additif tel qu'un tensioactif sur un motif de réserve (2) formé sur un substrat (1) afin de former un film de résine soluble dans l'eau (3), la modification d'une partie du film de résine soluble dans l'eau adjacente au motif de réserve par le biais d'un mélange afin de former une couche insolubilisée dans l'eau (4) qui ne peut être retirée par l'eau s'écoulant sur la surface du motif en résine, et le retrait de la partie non modifiée du film de résine soluble dans l'eau par un lavage à l'eau et qui permet une diminution efficace de la taille de séparation et de la taille d'un motif de réserve jusqu'à un niveau inférieur à la limite de résolution de la longueur d'onde d'exposition. Il est préférable d'utiliser, comme résine vinylique soluble dans l'eau, un homopolymère d'un monomère vinylique contenant de l'azote tel qu'un acrylamine, un acrylamide, du vinylpyrrolidone ou du vinylimidazole, un copolymère de deux monomères vinyliques contenant de l'azote ou plus, ou un copolymère d'au moins un monomère vinylique contenant de l'azote et d'au moins un monomère vinylique exempt d'azote.
(JA) 下地基板1上に設けられたレジストパターン2上に、水溶性ビニル樹脂、分子内に少なくとも2個のアミノ基を有する化合物、溶剤および必要に応じ界面活性剤などの添加剤からなる水溶性樹脂組成物を塗布して水溶性樹脂膜3を形成した後、ミキシングによりレジストパターンに隣接する前記水溶性樹脂膜を変性させることによって、レジストパターン表面に水洗で除去出来ない水不溶化層4を形成し、次いで前記水溶性樹脂膜の未変性部を水洗除去することにより、レジストパターンの分離サイズまたはホール開口サイズを実効的に露光波長の限界解像以下に微細化する。水溶性ビニル樹脂としては、窒素原子を含有するビニルモノマー、例えばアリルアミン、アクリルアミド、ビニルピロリドン、ビニルイミダゾールなどの単一重合体、窒素原子を含有するビニルモノマーの2種以上からなる共重合体、または窒素原子を含有するビニルモノマーの少なくとも1種と窒素原子を含有しないビニルモノマーの少なくとも1種からなる共重合体が好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)