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1. (WO2008136419) 半導体装置及び製造方法並びにリペア方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/136419    国際出願番号:    PCT/JP2008/058091
国際公開日: 13.11.2008 国際出願日: 25.04.2008
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), H05K 3/32 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OUCHI, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OUCHI, Akira; (JP)
代理人: KATO, Asamichi; c/o A. Kato & Associates 20-12 Shin-Yokohama 3-chome, Kohoku-ku Yokohama-shi, Kanagawa 2220033 (JP)
優先権情報:
2007-118913 27.04.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE REPAIRING METHOD
(FR) COMPOSANT À SEMICONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET PROCÉDÉ DE RÉPARATION DU COMPOSANT À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置及び製造方法並びにリペア方法
要約: front page image
(EN)In a semiconductor device, a pad (5) of a semiconductor component (1) and a pad (6) of a wiring board (2) are configured to face each other and to have electricity carried through a bump. The semiconductor device is provided with a first conductive resin bump (3) arranged on the pad (5) of the semiconductor component (1), and a second conductive resin bump (4) arranged on the pad (6) of the wiring board (2). The second conductive resin bump (4) has a glass transition temperature lower than that of the first conductive resin bump (3) by 40°C or more, and is deformed to be arranged along the surface shape of the first conductive resin bump (3) on the side of the semiconductor component (1) by a heating load applied when the semiconductor component (1) is mounted. In the same concept, it is possible to have the second conductive resin bump deformed by having the glass transition temperature of the first conductive resin bump (3) lower than that of the second conductive resin bump (4).
(FR)Selon l'invention, dans un composant à semiconducteur, une plage (5) d'un composant à semiconducteur (1) et une plage (6) d'une carte de câblage (2) sont configurées pour se faire face l'une avec l'autre et pour transporter l'électricité au travers d'une bosse. Le composant à semiconducteur est muni d'une première bosse de résine conductrice (3) disposée sur la plage (5) du composant à semiconducteur (1), ainsi qu'une seconde bosse de résine conductrice (4) disposée sur la plage (6) de la carte de câblage (2). La seconde bosse de résine conductrice (4) présente une température de transition vitreuse inférieure à celle de la première bosse de résine conductrice (3) de 40 °C ou plus, est elle est déformée pour être disposée le long de la forme de la surface de la première bosse de résine conductrice (3) sur le côté du composant à semiconducteur (1) grâce à une charge chauffante appliquée lorsque le composant à semiconducteur (1) est monté. Selon le même concept, il est possible de déformer la seconde bosse de résine conductrice si la température de transition vitreuse de la première bosse de résine conductrice (3) est inférieure à celle de la seconde bosse de résine conductrice (4)
(JA) 対向する半導体部品(1)のパッド(5)と配線基板(2)のパッド(6)とがバンプを介して導通するように構成された半導体装置であって、半導体部品(1)のパッド(5)上に設けられた第1の導電性樹脂バンプ(3)と、配線基板(2)のパッド(6)上に設けられた第2の導電性樹脂バンプ(4)と、を備える。第2の導電性樹脂バンプ(4)は、第1の導電性樹脂バンプ(3)よりガラス転移温度が40℃以上低く、半導体部品(1)の搭載時の加熱荷重により、半導体部品(1)側の第1の導電性樹脂バンプ(3)の表面形状に沿うように変形している。また同様の考え方で、第1の導電性樹脂バンプ(3)のガラス転移温度を第2の導電性樹脂バンプ(4)より低くして変形させることも可能である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)