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1. (WO2008136409) 炭化珪素ツェナーダイオード
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/136409    国際出願番号:    PCT/JP2008/058068
国際公開日: 13.11.2008 国際出願日: 25.04.2008
IPC:
H01L 29/866 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
出願人: THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC. [JP/JP]; 6-16, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308270 (JP) (米国を除く全ての指定国).
Central Research Institute of Electric Power Industry [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008126 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ISHII, Ryosuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAYAMA, Koji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUGAWARA, Yoshitaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TSUCHIDA, Hidekazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ISHII, Ryosuke; (JP).
NAKAYAMA, Koji; (JP).
SUGAWARA, Yoshitaka; (JP).
TSUCHIDA, Hidekazu; (JP)
代理人: SUZUKI, Shunichiro; S.SUZUKI & ASSOCIATES, Gotanda Yamazaki Bldg. 6F, 13-6, Nishigotanda 7-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031 (JP)
優先権情報:
2007-116736 26.04.2007 JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE ZENER DIODE
(FR) DIODE ZENER DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素ツェナーダイオード
要約: front page image
(EN)Provided is a mesa-type silicon carbide zener diode which has a large current capacity without concentrating electric field to a mesa end section on a pn junction interface. The silicon carbide zener diode is a bipolar semiconductor device having a mesa structure, and in the bipolar semiconductor device, a first conductivity type silicon carbide conductive layer is formed on a first conductivity type silicon carbide single crystal substrate, and a second conductivity type silicon carbide conductive layer is formed on the first conductivity type silicon carbide conductive layer. When a reverse direction voltage is applied, a depletion layer formed on the junction interface of the first conductivity type silicon carbide conductive layer and the second conductivity type silicon carbide conductive layer does not reach a mesa corner section formed on the first conductivity type silicon carbide conductive layer.
(FR)La présente invention concerne une diode Zener de carbure de silicium de type mesa dotée d'une grande capacité de courant sans concentrer le champ électrique sur une section d'extrémité mesa sur une interface de jonction pn. La diode Zener de carbure de silicium est un dispositif à semi-conducteur bipolaire doté d'une structure mesa, et dans le dispositif à semi-conducteur bipolaire, une première couche conductrice de carbure de silicium type de conductivité est formée sur un premier substrat monocristal, et une seconde couche conductrice de carbure de silicium type de conductivité est formée sur la première couche conductrice de carbure de silicium type de conductivité. Lorsqu'une tension de direction inverse est appliquée, une couche d'appauvrissement formée sur l'interface de jonction de la première couche conductrice de carbure de silicium type de conductivité et la seconde couche conductrice de carbure de silicium type de conductivité n'atteint pas une partie angulaire mesa formée sur la première couche conductrice de carbure de silicium type de conductivité.
(JA) pn接合界面のメサ端部に電界が集中することがなく、電流容量が高いメサ型の炭化珪素ツェナーダイオードを提供する。本発明に係る炭化珪素ツェナーダイオードは、第1導電型炭化珪素単結晶基板上に第1導電型炭化珪素導電層が形成され、前記第1導電型炭化珪素導電層上に第2導電型炭化珪素導電層が形成された、メサ構造をもつバイポーラ型半導体装置であって、逆方向電圧印加時に、前記第1導電型炭化珪素導電層及び前記第2導電型炭化珪素導電層の接合界面で形成される空乏層が、前記第1導電型炭化珪素導電層に形成されているメサコーナー部に到達しないことを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)