WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2008136352) 半導体ウエハーの接合方法および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/136352    国際出願番号:    PCT/JP2008/057934
国際公開日: 13.11.2008 国際出願日: 24.04.2008
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
出願人: SUMITOMO BAKELITE COMPANY LIMITED [JP/JP]; 5-8, Higashi-shinagawa 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1400002 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MAEJIMA, Kenzou [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KATSURAYAMA, Satoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUGINO, Mitsuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MAEJIMA, Kenzou; (JP).
KATSURAYAMA, Satoru; (JP).
SUGINO, Mitsuo; (JP)
代理人: ASAHI, Kazuo; Nishi-Shinbashi Noa Bldg. 4th Floor 18-9, Nishi-Shinbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2007-119948 27.04.2007 JP
2007-142436 29.05.2007 JP
2007-154250 11.06.2007 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR BONDING SEMICONDUCTOR WAFERS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE LIAISON DE TRANCHES SEMI-CONDUCTRICES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ウエハーの接合方法および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for bonding semiconductor wafers, wherein a bonding layer (60) containing a curing agent having a flux activity and a thermosetting resin is interposed between a semiconductor wafer (210) and a semiconductor wafer (220), thereby obtaining a semiconductor wafer laminate (230) of the semiconductor wafers (210, 220), and then a pressure is applied to the semiconductor laminate (230) in the thickness direction while heating, for melting/solidifying a solder bump (224) and curing the thermosetting resin, thereby bonding the semiconductor wafer (210) and the semiconductor wafer (220) with each other. Consequently, there is obtained a semiconductor wafer assembly (240) wherein a connecting portion (212) and a connecting portion (222) are electrically connected with each other by a connecting portion (solidified solder bump) (225).
(FR)L'invention concerne un procédé de liaison de tranches semi-conductrices, dans lequel une couche de liaison (60) contenant un agent durcissant ayant une activité de flux et une résine thermodurcissante est interposée entre une tranche semi-conductrice (210) et une tranche semi-conductrice (220) obtenant ainsi un stratifié de tranches semi-conductrices (220) des tranches semi-conductrices (210, 220), puis une pression est appliquée au stratifié semi-conducteur (230) dans la direction de l'épaisseur tout en chauffant, pour une fusion/solidification d'une perle de soudure (224) et durcissement de la résine thermodurcissante, liant ainsi la tranche semi-conductrice (210) et la tranche semi-conductrice (220) entre elles. Par conséquent, on obtient un ensemble de tranche semi-conductrice (214) dans lequel une partie de connexion (212) et une partie de connexion (222) sont électriquement connectées entre elles par une partie de connexion (perle de soudure solidifiée) (225).
(JA) 本発明の半導体ウエハーの接合方法では、半導体ウエハー210と半導体ウエハー220との間に、フラックス活性を有する硬化剤と、熱硬化性樹脂とを含む接合層60を介在させて、半導体ウエハー210、220が積層された半導体ウエハー積層体230を得た後に、半導体ウエハー積層体230を、加熱しつつ、その厚さ方向に加圧することにより、半田バンプ224を溶融・固化するとともに、前記熱硬化性樹脂を硬化して、半導体ウエハー210と半導体ウエハー220とが固着することにより、接続部(半田バンプの固化物)225で、接続部212と接続部222とが電気的に接続された半導体ウエハー接合体240を得る。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)