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1. (WO2008136261) 光電気セルおよび該光電気セル用多孔質半導体膜形成用塗料
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/136261    国際出願番号:    PCT/JP2008/057328
国際公開日: 13.11.2008 国際出願日: 15.04.2008
IPC:
H01M 14/00 (2006.01), B82Y 30/00 (2011.01), C09D 11/02 (2014.01), C09D 11/033 (2014.01), C09D 11/52 (2014.01), H01L 31/04 (2014.01), C09D 7/12 (2006.01)
出願人: JGC CATALYSTS AND CHEMICALS LTD. [JP/JP]; 580, Horikawa-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2120013 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIZUNO, Takaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOYANAGI, Tsuguo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANAKA, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MIZUNO, Takaki; (JP).
KOYANAGI, Tsuguo; (JP).
TANAKA, Atsushi; (JP)
代理人: SUZUKI, Shunichiro; S.SUZUKI & ASSOCIATES Gotanda Yamazaki Bldg. 6F 13-6, Nishigotanda 7-chome Shinagawa-ku, Tokyo 1410031 (JP)
優先権情報:
2007-116735 26.04.2007 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRICAL CELL, AND COATING AGENT FOR FORMING POROUS SEMICONDUCTOR FILM FOR THE PHOTOELECTRICAL CELL
(FR) CELLULE PHOTOÉLECTRIQUE, ET AGENT DE REVÊTEMENT POUR FORMER UN FILM SEMI-CONDUCTEUR POREUX POUR LA CELLULE PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電気セルおよび該光電気セル用多孔質半導体膜形成用塗料
要約: front page image
(EN)Disclosed is a photoelectrical cell having excellent electron production ability, reduced re-binding of electrons, and high photoelectrical conversion efficiency. Also disclosed is a method for producing the photoelectrical cell. In the photoelectrical cell, a porous metal oxide semiconductor film comprises a titanium oxide particle which comprises a base particle and a titanium oxide microparticle layer which covers the surface of the base particle, wherein the base particle comprises titanium oxide.
(FR)L'invention concerne une cellule photoélectrique ayant une excellente aptitude à la production d'électrons, une reliaison des électrons réduite et un rendement de conversion photoélectrique élevé. L'invention concerne également un procédé pour la fabrication de la cellule photoélectrique. Dans la cellule photoélectrique, un film semi-conducteur d'oxyde de métal poreux comprend une particule d'oxyde de titane qui comprend une particule de base et une couche de microparticule d'oxyde de titane qui recouvre la surface de la partie de base, la particule de base comprenant de l'oxyde de titane.
(JA)本発明は、電子の生成能に優れるとともに電子の再結合が抑制された高い光電変換効率を有する光電気セルおよびその製造方法を提供することを目的とし、光電気セルにおいて、多孔質金属酸化物半導体膜が、酸化チタンからなる基体粒子と該基体粒子の表面を被覆した酸化チタン微粒子層とからなる酸化チタン粒子を含んでいる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)