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World Intellectual Property Organization
1. (WO2008136260) Ti膜の成膜方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/136260    国際出願番号:    PCT/JP2008/057315
国際公開日: 13.11.2008 国際出願日: 15.04.2008
C23C 16/52 (2006.01), C23C 16/08 (2006.01), C23C 16/509 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NARUSHIMA, Kensaku [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WAKABAYASHI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ZENKO, Tetsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NARUSHIMA, Kensaku; (JP).
ZENKO, Tetsu; (JP)
代理人: TAKAYAMA, Hiroshi; Hirakawacho Tsujita Bldg. 2F 1-7-20 Hirakawacho chiyoda-ku, Tokyo 1020093 (JP)
2007-118301 27.04.2007 JP
(JA) Ti膜の成膜方法
要約: front page image
(EN)A Ti-film formation method includes: a step of placing a substrate to be treated and having an Si portion on a table; a step of heating the substrate to be treated; a step of setting a pressure in a chamber to a predetermined value; a step of introducing a treating gas containing TiCl4 gas and a reduction gas; a step of forming a high-frequency field by high-frequency formation means so as to obtain the treating gas in a plasma state; and a step of causing a reaction by the Ticl4 gas and the reduction gas on the surface of the substrate to be treated. When the reaction is used to form the Ti-film on the Si portion of the substrate to be treated, the pressure in the chamber and the high-frequency power to be applied are controlled so as to suppress generation of TiSi at the Si portion of the substrate to be treated.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un film de Ti, le procédé comprenant : une étape de mise en place sur une table d'un substrat devant être traité et ayant une partie de Si ; une étape de chauffage du substrat devant être traité ; une étape de réglage d'une pression dans une chambre à une valeur prédéterminée ; une étape d'introduction d'un gaz de traitement contenant un gaz TiCl4 et un gaz de réduction ; une étape de formation d'un champ haute fréquence par des moyens de formation haute fréquence de façon à amener le gaz de traitement dans un état de plasma ; et une étape consistant à provoquer une réaction par le gaz Ticl4 et le gaz de réduction sur la surface du substrat devant être traité. Lorsque la réduction est utilisée pour former le film de Ti sur la partie de Si du substrat devant être traité, la pression dans la chambre et la puissance haute fréquence devant être appliquées sont contrôlées de façon à supprimer la génération de TiSi au niveau de la partie de Si du substrat devant être traité.
(JA) Ti膜の成膜方法は、載置台にSi部分を有する被処理基板を配置することと、被処理基板を加熱することと、チャンバ内を所定の圧力にすることと、チャンバ内にTiClガスおよび還元ガスを含む処理ガスを導入することと、高周波電界形成手段により高周波電界を形成することにより処理ガスをプラズマ化することと、被処理基板の表面で上記TiClガスおよび還元ガスによる反応を生じさせることと、を含み、その反応により、被処理基板のSi部分にTi膜を成膜する際に、被処理基板のSi部分でのTiSiの生成反応が抑制されるように、チャンバ内圧力および印加する高周波電力のパワーを制御する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)