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1. (WO2008136259) ダイヤモンド半導体素子におけるショットキー電極及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/136259    国際出願番号:    PCT/JP2008/057283
国際公開日: 13.11.2008 国際出願日: 14.04.2008
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), C22C 5/04 (2006.01), H01B 5/14 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
出願人: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008921 (JP) (米国を除く全ての指定国).
IKEDA, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
UMEZAWA, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIKATA, Shinichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: IKEDA, Kazuhiro; (JP).
UMEZAWA, Hitoshi; (JP).
SHIKATA, Shinichi; (JP)
優先権情報:
2007-117815 27.04.2007 JP
2007-117823 27.04.2007 JP
発明の名称: (EN) SCHOTTKY ELECTRODE IN DIAMOND SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) ÉLECTRODE SCHOTTKY DANS UN ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR EN DIAMANT, ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) ダイヤモンド半導体素子におけるショットキー電極及びその製造方法
要約: front page image
(EN)This invention provides a Schottky electrode in a diamond semiconductor, which has good adhesion to diamond, does not cause separation of a contact face due to uneven application of external mechanical pressure, and, in a diode production process, does not lower the yield, and is less likely to deteriorate current voltage characteristics, and a process for producing the Schottky electrode. The Schottky electrode comprises a pattern electrode provided scattered in an island form. In the pattern electrode, a patterned thin film of a Pt group alloy is provided on a diamond surface on a substrate and is scattered in an island form on the diamond surface. In this case, the Pt group alloy is a Pt group alloy containing 50 to 99.9% by mass of Pt and 0.1 to 50% by mass of Ru and/or Ir. Alternatively, a patterned thin film of a metal selected from Pt and Pd is provided on a diamond surface of a substrate and is scattered in an island form on the diamond surface. For the whole thin film of the metal selected from Pt and Pd, a thin film of a metal selected from Ru, Ir, and Rh is provided on the thin film of the metal selected from Pt and Pd.
(FR)L'invention concerne une électrode Schottky dans un semi-conducteur en diamant, qui présente une bonne adhérence au diamant, ne provoque pas la séparation d'une face de contact du fait d'une application inégale d'une pression mécanique externe et, en procédé de production de diode, n'abaisse pas le rendement, ni ne détériore probablement pas les caractéristiques de tension de courant; l'invention concerne également un procédé de production de l'électrode Schottky. L'électrode Schottky comprend une électrode à motif dispersée sous forme d'ilôt. Dans l'électrode à motif, un film mince à motif d'un alliage du groupe Pt sur une surface en diamant sur un substrat, il est en outre dispersé sous forme d'ilôt sur la surface en diamant. En l'occurrence, l'alliage du groupe Pt contient 50 à 99,9% en masse de Pt et 0,1 à 50% en masse de Ru et/ou de Ir. Autre possibilité, un film mince à motif d'un métal choisi parmi Pt et Pd est présenté sur une surface en diamant d'un substrat et est dispersé sous forme d'ilôt sur la surface en diamant. Pour l'ensemble du film mince du métal choisi parmi Pt et Pd, un film mince d'un métal choisi parmi Ru, Ir et Rh est présenté sur le film mince du métal choisi parmi Pt et Pd.
(JA) ダイヤモンドへの密着性は良く、外部からの機械的圧力の不均一さにより接触面が剥離してしまわない、ダイオード作成のプロセスにおいて、歩留まりを悪くしない、電流電圧特性の劣化を起こしにくいダイヤモンド半導体におけるショットキー電極及びその製造方法を提供する。  基板上のダイヤモンド表面に形成された島状に点在するパターン Pt族合金薄膜があり、Pt族合金がPt50~99.9とRu及び又はIr0.1~50質量%含んだPt族合金であること、又は基板上のダイヤモンド表面に形成された島状に点在するパターンPt又はPdから選ばれる金属薄膜があり、各Pt又はPdから選ばれる金属薄膜のすべてに、Pt又はPdから選ばれる金属薄膜上にRu, Ir, Rhから選ばれる金属薄膜が設けられた島状に点在するパターン電極からなるショットキー電極及びその製造方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)