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1. (WO2008136174) 成膜装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/136174    国際出願番号:    PCT/JP2008/000774
国際公開日: 13.11.2008 国際出願日: 27.03.2008
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H05H 1/26 (2006.01)
出願人: SHINMAYWA INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 1-1, Shinmeiwa-cho, Takarazuka-shi, Hyogo 6658550 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMAKAWA, Kenji; (米国のみ).
OKADA, Motoi; (米国のみ).
FURUTSUKA, Takeshi; (米国のみ).
MURASHITA, Yoshiro; (米国のみ)
発明者: YAMAKAWA, Kenji; .
OKADA, Motoi; .
FURUTSUKA, Takeshi; .
MURASHITA, Yoshiro;
代理人: PATENT CORPORATE BODY ARCO PATENT OFFICE; 3rd Fl., Bo-eki Bldg., 123-1, Higashimachi, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6500031 (JP)
優先権情報:
2007-106401 13.04.2007 JP
発明の名称: (EN) FILM FORMING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜装置
要約: front page image
(EN)A film forming apparatus (100) is provided with a vacuum film forming chamber (30) which can be depressurized; a plasma generating means (40) for generating discharge plasma in a vacuum film forming chamber (30) by direct current discharge; a constant current power supply (51) for supplying a plasma generating means (40) with power; a bias power supply (52) for supplying a target (35B) with power; a reaction gas supply means (61) for introducing the reaction gas into the vacuum film forming chamber (30); and a control apparatus (50). The control apparatus (50) controls a film forming speed of a deposition film on a substrate (34B), by having a change rate of a voltage (VP) of a constant current power supply (51) as an index. The deposition film is composed of an insulating material generated by discharge plasma reaction between sputtering particles discharged from the target (35B) and the reaction gas.
(FR)Selon l'invention, un appareil de formation de film (100) comporte une chambre (30) de formation de film sous vide dont la pression peut être réduite ; des moyens (40) de génération de plasma pour générer un plasma de décharge dans une chambre (30) de formation de film sous vide par une décharge de courant continu ; une alimentation électrique (51) à courant constant pour alimenter des moyens de génération de plasma (40) en puissance ; une alimentation électrique de polarisation (52) pour alimenter une cible (35B) en puissance ; des moyens d'alimentation en gaz de réaction (61) pour introduire le gaz de réaction à l'intérieur de la chambre (30) de formation de film sous vide ; et un appareil de commande (50). L'appareil de commande (50) commande une vitesse de formation de film d'un film de dépôt sur un substrat (34B), en prenant un taux de variation d'une tension (VP) d'une alimentation électrique à courant constant (51) comme indice. Le film de dépôt est composé d'un matériau isolant généré par une réaction de plasma de décharge entre des particules de pulvérisation déchargées de la cible (35B) et le gaz de réaction.
(JA) 本発明の成膜装置(100)は、減圧可能な真空成膜室(30)と、直流放電により真空成膜室(30)内に放電プラズマを生成するプラズマ生成手段(40)と、プラズマ生成手段(40)に電力を供給する定電流電源(51)と、ターゲット(35B)に電力を供給するバイアス電源(52)と、真空成膜室(30)内に反応ガスを導く反応ガス供給手段(61)と、制御装置(50)と、を備える。この制御装置(50)は、定電流電源(51)の電圧VPの変化率を指標にして、ターゲット(35B)から放出されるスパッタリング粒子と反応ガスとの間の放電プラズマ反応により生成される絶縁材料からなる堆積膜の、基板(34B)への成膜速度を制御する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)