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1. (WO2008133278) シリコン単結晶の製造方法および装置並びにシリコン単結晶インゴット
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/133278    国際出願番号:    PCT/JP2008/057862
国際公開日: 06.11.2008 国際出願日: 23.04.2008
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/04 (2006.01)
出願人: SUMCO TECHXIV CORPORATION [JP/JP]; 1324-2, Masuragahara-machi, Omura-shi, Nagasaki 856-8555 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NARUSHIMA, Yasuhito [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWAZOE, Shinichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OGAWA, Fukuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IROKAWA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUBOTA, Toshimichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NARUSHIMA, Yasuhito; (JP).
KAWAZOE, Shinichi; (JP).
OGAWA, Fukuo; (JP).
IROKAWA, Masahiro; (JP).
KUBOTA, Toshimichi; (JP)
代理人: KIMURA, Takahisa; 6F, Sendai Building, 8-11, Minato 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040043 (JP)
優先権情報:
2007-114183 24.04.2007 JP
2007-114184 24.04.2007 JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL, APPARATUS THEREFOR AND SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL DE SILICIUM, APPAREIL POUR LA MISE EN ŒUVRE DE CE PROCÉDÉ ET LINGOT DE MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶の製造方法および装置並びにシリコン単結晶インゴット
要約: front page image
(EN)The sublimation velocity of dopant can be accurately controlled without being influenced by a change over time of intra-furnace thermal environment. A dopant supply unit equipped with an accommodation chamber and a supply tube is provided. A sublimable dopant is accommodated. Upon sublimation of the dopant within the accommodation chamber, the sublimed dopant is led into a melt. The dopant within the accommodation chamber of the dopant supply unit is heated. The thermal dose by heating means is controlled so as to sublime the dopant at a desired sublimation rate. The dopant is fed to the melt so that the dopant concentration up to formation of the anterior half portion of a straight trunk part of silicon single crystal is in the state of low concentration or nonaddition. After the formation of the anterior half portion of the straight trunk part of silicon single crystal, the dopant is fed to the melt so that every portion of the crystal is in the state of having the dopant added to a desired high concentration.
(FR)La vitesse de sublimation de dopant peut être contrôlée de façon précise sans être influencée par un changement au cours du temps de l'environnement thermique intra-four. L'invention porte sur une unité d'alimentation en dopant, équipée d'une chambre de réception et d'un tube d'alimentation. Un dopant sublimable est reçu. Lors de la sublimation du dopant à l'intérieur de la chambre de réception, le dopant sublimé est introduit dans une masse fondue. Le dopant à l'intérieur de la chambre de réception de l'unité d'alimentation en dopant est chauffé. La dose thermique par les moyens de chauffage est contrôlée de façon à sublimer le dopant à une vitesse de sublimation désirée. Le dopant est introduit dans la masse fondue de telle sorte que la concentration de dopant jusqu'à la formation de la demi-partie antérieure d'une partie de tronc rectiligne de monocristal de silicium se trouve dans l'état de faible concentration ou de non-addition. Après la formation de la demi-partie antérieure de la partie de tronc rectiligne du monocristal de silicium, le dopant est introduit dans la masse fondue de telle sorte que chaque partie du cristal se trouve dans l'état d'avoir le dopant ajouté à une concentration élevée désirée.
(JA) 炉内の熱的環境の経時変化の影響を受けることなくドーパントの昇華速度を正確に制御できるようにする。収容室と供給管を備えたドーパント供給装置が設けられる。昇華可能なドーパントが収容されている。収容室内のドーパントが昇華された場合に昇華されたドーパントを融液に導く。ドーパント供給装置の収容室内のドーパントを加熱する。所望の昇華速度でドーパントが昇華されるように加熱手段による加熱量を制御する。シリコン単結晶の直胴部の前半部が形成されるまでのドーパント濃度が、低濃度の状態か、または無添加の状態となるように、融液にドーパントを供給する。シリコン単結晶の直胴部の前半部が形成された以降は、結晶各部が、ドーパントが所望する高濃度に添加された状態となるように、融液にドーパントを供給する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)