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1. (WO2008133205) シリコン結晶素材及びこれを用いたFZシリコン単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/133205    国際出願番号:    PCT/JP2008/057608
国際公開日: 06.11.2008 国際出願日: 18.04.2008
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 13/00 (2006.01)
出願人: SUMCO TECHXIV CORPORATION [JP/JP]; 1324-2, Masuragahara-machi, Omura-shi, Nagasaki 8568555 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOGAWA, Shinji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIRAISHI, Yutaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TOGAWA, Shinji; (JP).
SHIRAISHI, Yutaka; (JP)
代理人: SHOBAYASHI, Masayuki; Takase Bldg., 25-8 Higashi-ikebukuro 1-chome Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
2007-113904 24.04.2007 JP
発明の名称: (EN) SILICON CRYSTAL MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING FZ SILICON SINGLE CRYSTAL BY USING THE SAME
(FR) MATÉRIAU DE SILICIUM CRISTALLIN ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SILICIUM MONOCRISTALLIN FZ À PARTIR DE CELUI-CI
(JA) シリコン結晶素材及びこれを用いたFZシリコン単結晶の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a silicon crystal material which has dislocation or is polycrystalline, and is manufactured by a CZ method. The silicon crystal material is used as a material bar for FZ single crystal manufacture, does not generate cracks and breakage, and has a section to be grasped for being suspended and held in an FZ furnace. The silicon crystal material to be used for manufacturing silicon single crystal by an FZ method is provided with a silicon seed crystal section, which has dislocation or is polycrystalline and is manufactured by the CZ method; a shoulder section, which is crystal-grown from the seed crystal section and has a gradually increasing diameter; a cylindrical straight body section; and a tail section wherein the diameter gradually reduces. Prior to taking out the material from the furnace after being crystal-grown in the CZ furnace, a cooling step is performed to cool the material to a prescribed temperature for a prescribed time. The residual stress at 300°C or below is 0.6MPa or less.
(FR)L'invention concerne un matériau de silicium cristallin présentant de la dislocation ou de nature polycristalline, et fabriqué selon un procédé CZ. Le matériau de silicium cristallin est utilisé sous la forme d'une barre de matériau pour la fabrication d'un monocristal FZ, il ne génère ni fissure ni cassure, et possède une section qui permet de le saisir afin d'être suspendu dans un four de type FZ. Le matériau de silicium cristallin à utiliser pour la fabrication de silicium monocristallin par un procédé FZ est fourni doté d'une section germe cristallin de silicium présentant de la dislocation ou de nature polycristalline et fabriqué selon un procédé CZ ; une section épaulement qui est du cristal croissant provenant de la section germe cristallin et possédant un diamètre qui s'accroît graduellement ; une section corps droit cylindrique ; et une section terminale dans laquelle le diamètre se réduit graduellement. Avant de sortir le matériau du four après que la croissance du cristal a eu lieu dans le four CZ, une étape de refroidissement est réalisée pour refroidir le matériau à une température prescrite pendant un temps prescrit. La contrainte résiduelle à 300°C ou moins vaut 0,6 MPa ou moins.
(JA) CZ法により製造された有転位又は多結晶のシリコン結晶素材であって、FZ法単結晶製造の原料棒として用いられ、クラックや破断が生じることなく、FZ炉内に懸垂保持するための被把持部を有する大口径の有転位又は多結晶のシリコン結晶素材を提供すること。  FZ法によるシリコン単結晶の製造に用いられるシリコン結晶素材であって、CZ法により製造された有転位又は多結晶シリコンであり種結晶部と、この種結晶部から結晶成長した漸次拡径する肩部と、円柱状の直胴部と、漸次縮径する尾部と、を有する。そして、CZ炉内で結晶成長させて炉内から取り出される前に、所定時間かけて所定温度にまで徐冷される徐冷工程を経て製造され、300°C下における残留応力が0.6MPa以下である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)