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1. (WO2008133087) 半導体記憶装置及びその動作方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/133087    国際出願番号:    PCT/JP2008/057285
国際公開日: 06.11.2008 国際出願日: 14.04.2008
IPC:
G11C 29/42 (2006.01), G06F 12/16 (2006.01), G11C 13/00 (2006.01), G11C 29/24 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SAKIMURA, Noboru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUGIBAYASHI, Tadahiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NEBASHI, Ryusuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SAKIMURA, Noboru; (JP).
SUGIBAYASHI, Tadahiko; (JP).
NEBASHI, Ryusuke; (JP)
代理人: KUDOH, Minoru; 6F, KADOYA BLDG. 24-10, Minamiooi 6-chome Shinagawa-ku Tokyo 1400013 (JP)
優先権情報:
2007-108569 17.04.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND ITS OPERATION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE MÉMORISATION À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT
(JA) 半導体記憶装置及びその動作方法
要約: front page image
(EN)Provided is an operation method which can be applied to a PRAM, an ReRAM, or a solid electrolyte memory which contain error correction codes, each formed by a plurality of symbols, each formed by a plurality of bits and which can perform an error correction in a symbol unit. In this operation method, each of the symbols uses a different reference cell (12) from one another. When a correctable error is detected in read-out data from a data cell (11) constituting the error correction code corresponding to an inputted address: for a first error symbol which is a 1-bit error pattern, data in the data cell (11) corresponding to the error bit is corrected; and for a second error symbol which is a multi-bit error pattern, data in the reference cell (12) used for reading out the second error symbol is corrected.
(FR)L'invention concerne un procédé de fonctionnement qui peut être appliqué à une mémoire PRAM, une mémoire ReRAM, ou une mémoire à électrolyte solide qui contient des codes de correction d'erreurs, formés chacun par une pluralité de symboles, formés chacun par une pluralité de bits, et qui peut effectuer une correction d'erreurs dans une unité de symbole. Dans ce procédé de fonctionnement, les symboles utilisent des cellules de référence (12) différentes les unes des autres. Lorsqu'une erreur corrigeable est détectée lors de l'extraction des données d'une cellule de données (11) constituant le code avec correction d'erreur correspondant à une adresse entrée : pour un premier symbole d'erreur qui est un motif d'erreur de 1 bit, les données dans la cellule de données (11) correspondant au bit d'erreur sont corrigées ; et pour un deuxième symbole d'erreur qui est un motif d'erreur de multiples bits, les données dans la cellule de référence (12) utilisées pour extraire le deuxième symbole d'erreur sont corrigées.
(JA) 本発明の動作方法は、それぞれが複数のシンボルから構成され、各々のシンボルが複数のビットから構成され、更にシンボル単位での誤り訂正が可能な誤り訂正符号を記憶するPRAM、ReRAM、又は固体電解質メモリに適用される。当該動作方法では、各々のシンボルは互いに異なる参照セル12を用いて読み出しが行われる。入力されたアドレスに対応する誤り訂正符号を構成するデータセル11の読み出しデータに訂正可能な誤りが検出された場合、1ビットの誤りパターンである第1の誤りシンボルに対しては、その誤りビットに対応するデータセル11のデータを訂正し、複数ビットの誤りパターンである第2の誤りシンボルに対しては、第2の誤りシンボルの読み出しに使用された参照セル12のデータを訂正する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)