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1. (WO2008133040) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/133040    国際出願番号:    PCT/JP2008/057158
国際公開日: 06.11.2008 国際出願日: 11.04.2008
IPC:
G11C 29/04 (2006.01), G01R 31/28 (2006.01), G11C 16/06 (2006.01), G11C 17/00 (2006.01)
出願人: RENESAS TECHNOLOGY CORP. [JP/JP]; 6-2, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUZUKI, Kunihiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUJITO, Masamichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIZUNO, Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUZUKI, Kunihiko; (JP).
FUJITO, Masamichi; (JP).
MIZUNO, Makoto; (JP)
代理人: TAMAMURA, Shizuyo; Room 901, Yamashiro Building, 1, Kanda Ogawamachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010052 (JP)
優先権情報:
2007-104353 12.04.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)In order to detect whether a leak current is generated by gate destruction in a transistor (Qds) which receives boost voltage of a boost circuit (40), a semiconductor device includes: a constant current circuit (46) which receives an external power source voltage and supplies a constant current to a boost voltage output node (BN_1) of the boost circuit while the the boost operation of the boost circuit is in a stop state; and a comparison circuit (47) which performs a comparison between the boost voltage output node voltage varied by the power supply from the constant current circuit and a reference voltage (Vref). When the comparison circuit decides that the boost voltage output node voltage is a predetermined voltage lower than the power source voltage, it is possible to judge that the leak current is generated. Thus, it is possible to effectively detect a leak current generated by destruction of a transistor which receives a high voltage.
(FR)Afin de détecter si un courant de fuite est généré par la destruction d'une grille d'un transistor (Qds) qui reçoit une tension suramplifiée d'un circuit de suramplification (40), un dispositif à semi-conducteurs comprend : un circuit à courant constant (46) qui reçoit une tension de source de puissance externe et qui délivre un courant constant à un nœud de sortie de tension suramplifiée (BN_1) du circuit de suramplification alors que l'opération de suramplification du circuit de suramplification est dans un état d'arrêt ; et un circuit de comparaison (47) qui effectue une comparaison entre une tension de nœud de sortie de tension suramplifiée modifiée par l'alimentation provenant du circuit à courant constant et une tension de référence (Vref). Lorsque le circuit de comparaison décide que la tension de nœud de sortie de tension suramplifiée est une tension prédéterminée inférieure à la tension de source de puissance, il est possible de juger que le courant de fuite est généré. Ainsi, il est possible de détecter efficacement un courant de fuite généré par la destruction d'un transistor qui reçoit une tension élevée.
(JA) 昇圧回路(40)の昇圧電圧を受けるトランジスタ(Qds)にゲート破壊によるリーク電流を生じているか否かを検出するために、前記昇圧回路の昇圧動作が停止された状態で、外部電源電圧を受けて前記昇圧回路の昇圧電圧出力ノード(BN_1)に定電流を供給する定電流回路(46)と、前記定電流回路からの電流供給によって変化される前記昇圧電圧出力ノードの電圧をリファレンス電圧(Vref)と比較する比較回路(47)とを設ける。比較回路により、昇圧電圧出力ノードの電圧が電源電圧よりも低い所定の電圧になったとき、前記リーク電流が発生していると判定することができる。これにより、高電圧を受けるトランジスタの破壊によって生ずるリーク電流を効率的に検出することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)