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1. (WO2008133016) 光センサ及び表示装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/133016    国際出願番号:    PCT/JP2008/057068
国際公開日: 06.11.2008 国際出願日: 10.04.2008
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KATOH, Hiromi; (米国のみ).
SATOH, Masakazu; (米国のみ).
HADWEN, Benjamin James; (米国のみ)
発明者: KATOH, Hiromi; .
SATOH, Masakazu; .
HADWEN, Benjamin James;
代理人: IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 26th Floor, OAP TOWER 8-30, Tenmabashi 1-chome Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5306026 (JP)
優先権情報:
2007-106269 13.04.2007 JP
発明の名称: (EN) OPTICAL SENSOR AND DISPLAY
(FR) DÉTECTEUR OPTIQUE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 光センサ及び表示装置
要約: front page image
(EN)A small-sized optical sensor not producing noise due to the dark current and a display having the same are provided. The optical sensor comprises photodiodes (9-11) fabricated in the same silicon film (8). The photodiodes (9-11) have p-type semiconductor regions (9a, 10a, 11a) formed in the silicon film (8) and n-type semiconductor regions (9c, 10c, 11c), respectively. The photodiodes are so provided that the forward directions thereof are aligned in line. The n-type semiconductor region of one of two adjacent photodiodes is positioned over the p-type semiconductor region of the other in the direction of the thickness of the silicon film.
(FR)L'invention concerne un détecteur optique de petite dimension ne produisant pas de bruit en raison du courant d'obscurité et un dispositif d'affichage ayant celui-ci. Le détecteur optique comprend des photodiodes (9-11) fabriquées dans le même film de silicium (8). Les photodiodes (9-11) ont des régions semi-conductrices de type p (9a, 10a, 11a) formées dans le film de silicium (8) et des régions semi-conductrices de type n (9c, 10c, 11c), respectivement. Les photodiodes sont disposées de telle sorte que les directions vers l'avant de celles-ci sont alignées en ligne. La région semi-conductrice de type n de l'une de deux photodiodes adjacentes est positionnée sur la région semi-conductrice de type p de l'autre dans la direction de l'épaisseur du film de silicium.
(JA) 暗電流によるノイズの発生を抑制しつつ、小型化を図り得る光センサ、及びそれを備えた表示装置を提供する。同一のシリコン膜(8)に形成された複数のフォトダイオード(9~11)を備えた光センサを用いる。フォトダイオード(9~11)は、それぞれ、シリコン膜(8)に形成されたp型の半導体領域(9a、10a、11a)及びn型の半導体領域(9c、10c、11c)を有する。更に、フォトダイオード(9~11)は、それぞれの順方向が互いに揃うように直列に配置される。隣接する二つのフォトダイオードにおいて、一方のn型の半導体領域と他方のp型の半導体領域とはシリコン膜の厚み方向において互いに重なるように形成される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)