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1. (WO2008129964) パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、現像液及びリンス液
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/129964 国際出願番号: PCT/JP2008/057187
国際公開日: 30.10.2008 国際出願日: 11.04.2008
IPC:
G03F 7/30 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/32 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
30
液体手段を用いる画像様除去
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
30
液体手段を用いる画像様除去
32
そのための液体組成物,例.現像剤
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 〒1060031 東京都港区西麻布2丁目26番30号 Tokyo 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1060031, JP (AllExceptUS)
樽谷 晋司 TARUTANI, Shinji; null (UsOnly)
椿 英明 TSUBAKI, Hideaki; null (UsOnly)
水谷 一良 MIZUTANI, Kazuyoshi; null (UsOnly)
和田 健二 WADA, Kenji; null (UsOnly)
星野 渉 HOSHINO, Wataru; null (UsOnly)
発明者:
樽谷 晋司 TARUTANI, Shinji; null
椿 英明 TSUBAKI, Hideaki; null
水谷 一良 MIZUTANI, Kazuyoshi; null
和田 健二 WADA, Kenji; null
星野 渉 HOSHINO, Wataru; null
代理人:
高松 猛 TAKAMATSU, Takeshi; 〒1050004 東京都港区新橋三丁目7番9号川辺ビル 航栄特許事務所 Tokyo Koh-Ei Patent Firm, Kawabe Bldg., 7-9, Shimbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004, JP
優先権情報:
2007-10617513.04.2007JP
2007-19805430.07.2007JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PATTERN FORMATION, AND RESIST COMPOSITION, DEVELOPING SOLUTION AND RINSING LIQUID FOR USE IN THE METHOD FOR PATTERN FORMATION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, ET COMPOSITION DE RÉSIST, SOLUTION DE DÉVELOPPEMENT ET LIQUIDE DE RINÇAGE À UTILISER DANS LE PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
(JA) パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、現像液及びリンス液
要約:
(EN) This invention provides a method for pattern formation, characterized by comprising the step of coating a resist composition, which contains a resin having an alicyclic hydrocarbon structure, has a degree of dispersion of not more than 1.7 and causes an enhancement in polarity upon the action of an acid and causes a reduction in solubility in a negative-working developing solution upon exposure to an actinic radiation or a radiation, the step of exposure, and the step of developing the exposed composition with a negative-working developing solution. There are also provided a resist composition for use in the method, and a developing solution and a rinsing liquid for use in the method. The method, composition, developing solution, and rinsing liquid can realize the formation of a pattern which has reduced line edge roughness and further has a high level of dimensional evenness.
(FR) Cette invention concerne un procédé de formation de motif, caractérisé en ce qu'il comprend l'étape consistant à appliquer en revêtement une composition de résist, qui contient une résine ayant une structure d'hydrocarbure alicyclique, qui a un degré de dispersion qui n'est pas supérieur à 1,7, et qui entraîne une amélioration de la polarité entre l'action d'un acide et provoque une réduction de la solubilité dans une solution de développement négative lors d'une exposition à un rayonnement actinique ou à un rayonnement, l'étape d'exposition, et l'étape de développement de la composition exposée avec une solution de développement négative. L'invention concerne également une composition de résist destinée à être utilisée dans le procédé, et une solution de développement et un liquide de rinçage à utiliser dans le procédé. Le procédé, la composition, la solution de développement et le liquide de rinçage peuvent réaliser la formation d'un motif qui présente une rugosité de bord de ligne réduite, et a en outre un niveau élevé d'homogénéité dimensionnelle.
(JA) 脂環式炭化水素構造を有し、分散度が1.7以下であり、かつ酸の作用により極性が増大する樹脂を含有する、活性光線又は放射線の照射により、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物を塗布する工程、露光工程、および、ネガ型現像液を用いて現像する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法、該方法に用いられるレジスト組成物及び該方法に用いられる現像液及びリンス液により、ラインエッジラフネスが低減され、更に寸法均一性も高いパターンが形成可能となる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
SG156225KR1020100015513EP2138898US20100040971