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1. (WO2008129944) エッチング液
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/129944 国際出願番号: PCT/JP2008/056958
国際公開日: 30.10.2008 国際出願日: 08.04.2008
IPC:
H01L 21/308 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308
マスクを用いるもの
出願人:
ダイキン工業株式会社 DAIKIN INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 〒5308323 大阪府大阪市北区中崎西2丁目4番12号 梅田センタービル Osaka Umeda Center Building, 4-12, Nakazaki-Nishi 2-Chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308323, JP (AllExceptUS)
板野 充司 ITANO, Mitsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
中村 新吾 NAKAMURA, Shingo [JP/JP]; JP (UsOnly)
毛塚 健彦 KEZUKA, Takehiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
渡邊 大祐 WATANABE, Daisuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
板野 充司 ITANO, Mitsushi; JP
中村 新吾 NAKAMURA, Shingo; JP
毛塚 健彦 KEZUKA, Takehiko; JP
渡邊 大祐 WATANABE, Daisuke; JP
代理人:
特許業務法人三枝国際特許事務所 Saegusa & Partners; 〒5410045 大阪府大阪市中央区道修町1-7-1 北浜TNKビル Osaka Kitahama TNK Building, 1-7-1, Doshomachi, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5410045, JP
優先権情報:
2007-10560113.04.2007JP
発明の名称: (EN) ETCHING SOLUTION
(FR) SOLUTION DE GRAVURE
(JA) エッチング液
要約:
(EN) An etching solution that is less in the composition change attributed to evaporation of chemical liquid, etc., minimizing the frequency of replacement of chemical liquid, and that is less in the change of etching rate over time, realizing uniform etching of a silicon oxide film. In particular, the etching solution is one comprising hydrofluoric acid (a), ammonium fluoride(b) and a salt (c) from hydrogen fluoride and a base having a boiling point higher than that of ammonia, wherein the concentration of ammonium fluoride(b) is 8.2 mol/kg or below, and wherein the sum of ammonium fluoride(b) and salt (c) from hydrogen fluoride and a base having a boiling point higher than that of ammonia is 9.5 mol/kg or more. Further, there are disclosed a process for producing the etching solution and a method of etching with the use of the etching solution.
(FR) L'invention concerne une solution de gravure dont la variation de composition attribuée à l'évaporation de liquide chimique, etc. est moindre, réduisant à un minimum la fréquence de remplacement du liquide chimique, et dont la variation de la vitesse de gravure dans le temps est moindre, permettant une gravure uniforme d'un film d'oxyde de silicium. En particulier, la solution de gravure est une solution comprenant de l'acide fluorhydrique (a), du fluorure d'ammonium (b) et un sel (c) de fluorure d'hydrogène et une base ayant un point d'ébullition supérieur à celui de l'ammoniac, dans laquelle la concentration de fluorure d'ammonium (b) est de 8,2 moles/kg ou moins, et dans laquelle la somme de fluorure d'ammonium (b) et de sel (c) de fluorure d'hydrogène et d'une base ayant un point d'ébullition supérieur à celui de l'ammoniac est de 9,5 moles/kg ou plus. En outre, un processus pour produire la solution de gravure et un procédé de gravure en utilisant la solution de gravure sont présentés.
(JA)  本発明は、薬液の蒸発等に伴う組成変化が少なく、薬液の交換頻度が少なくてすみ、かつ、経時的にもエッチングレートの変化が少なく均一にシリコン酸化膜をエッチング可能なエッチング液を提供する。具体的には、フッ化水素酸(a)、フッ化アンモニウム(b)、及びフッ化水素とアンモニアより沸点の高い塩基との塩(c)を含むエッチング液であって、フッ化アンモニウム(b)の濃度が8.2mol/kg以下であり、フッ化アンモニウム(b)とフッ化水素とアンモニアより沸点の高い塩基との塩(c)との合計が9.5mol/kg以上であるエッチング液、その製造方法、並びに該エッチング液を用いたエッチング方法に関する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020100009557EP2139030JPWO2008129944US20100112821CN101657887KR1020120068965
JP5251867