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1. (WO2008129914) EUVマスクブランク
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/129914 国際出願番号: PCT/JP2008/054808
国際公開日: 30.10.2008 国際出願日: 14.03.2008
IPC:
H01L 21/027 (2006.01) ,G03F 1/00 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
出願人:
旭硝子株式会社 ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 〒1008405 東京都千代田区有楽町一丁目12番1号 Tokyo 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405, JP (AllExceptUS)
生田 順亮 IKUTA, Yoshiaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
海老原 健 EBIHARA, Ken [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
生田 順亮 IKUTA, Yoshiaki; JP
海老原 健 EBIHARA, Ken; JP
代理人:
泉名 謙治 SENMYO, Kenji; 〒1010035 東京都千代田区神田紺屋町17番地 SIA神田スクエア4階 Tokyo 4th Floor, SIA Kanda Square, 17, Kanda-konyacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010035, JP
優先権情報:
2007-10806017.04.2007JP
発明の名称: (EN) EUV MASK BLANK
(FR) PIÈCE À MASQUE EUV
(JA) EUVマスクブランク
要約:
(EN) An EUV mask blank that realizes accurately pinpointing of the position of minute defects of about 30 nm sphere-equivalent diameter; and a relevant mask blank substrate and substrate with functional film. There is provided a substrate for reflective mask blank for EUV lithography, characterized in that on a film formation surface of the substrate, there are formed at least three marks satisfying the following requirements: (1) mark size ranging from 30 to 100 nm in sphere-equivalent diameter, and (2) on the film formation surface, three marks not lying on the same virtual straight line.
(FR) L'invention concerne une pièce à masque EUV qui permet un repérage précis de la position de minuscules défauts d'un diamètre équivalent à une sphère de 30 nm ; et un substrat de pièce à masque correspondant et un substrat avec un film fonctionnel. Il est proposé un substrat pour une pièce à masque réfléchissant pour une lithographie EUV, caractérisé en ce qu'au moins trois marques formées sur une surface de formation de film du substrat satisfont les spécifications suivantes : (1) une taille de marque ayant un diamètre équivalent à une sphère allant de 30 à 100 nm, et (2) sur la surface de formation de film, trois marques ne se trouvant pas sur la même droite virtuelle.
(JA)  球相当直径で30nm程度の微小な欠点の位置を正確に特定することができるEUVマスクブランク、マスクブランク用基板、および機能膜付基板の提供。  EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板であって、基板の成膜面に下記(1),(2)を満たす少なくとも3つのマークが形成されていることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板。 (1)マークの大きさが球相当直径で30~100nm。 (2)成膜面上で3つのマークが同一の仮想直線に載らない。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2008129914JP5327046