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1. (WO2008129914) EUVマスクブランク
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/129914    国際出願番号:    PCT/JP2008/054808
国際公開日: 30.10.2008 国際出願日: 14.03.2008
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), G03F 1/00 (2012.01)
出願人: ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (米国を除く全ての指定国).
IKUTA, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
EBIHARA, Ken [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: IKUTA, Yoshiaki; (JP).
EBIHARA, Ken; (JP)
代理人: SENMYO, Kenji; 4th Floor, SIA Kanda Square, 17, Kanda-konyacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010035 (JP)
優先権情報:
2007-108060 17.04.2007 JP
発明の名称: (EN) EUV MASK BLANK
(FR) PIÈCE À MASQUE EUV
(JA) EUVマスクブランク
要約: front page image
(EN)An EUV mask blank that realizes accurately pinpointing of the position of minute defects of about 30 nm sphere-equivalent diameter; and a relevant mask blank substrate and substrate with functional film. There is provided a substrate for reflective mask blank for EUV lithography, characterized in that on a film formation surface of the substrate, there are formed at least three marks satisfying the following requirements: (1) mark size ranging from 30 to 100 nm in sphere-equivalent diameter, and (2) on the film formation surface, three marks not lying on the same virtual straight line.
(FR)L'invention concerne une pièce à masque EUV qui permet un repérage précis de la position de minuscules défauts d'un diamètre équivalent à une sphère de 30 nm ; et un substrat de pièce à masque correspondant et un substrat avec un film fonctionnel. Il est proposé un substrat pour une pièce à masque réfléchissant pour une lithographie EUV, caractérisé en ce qu'au moins trois marques formées sur une surface de formation de film du substrat satisfont les spécifications suivantes : (1) une taille de marque ayant un diamètre équivalent à une sphère allant de 30 à 100 nm, et (2) sur la surface de formation de film, trois marques ne se trouvant pas sur la même droite virtuelle.
(JA) 球相当直径で30nm程度の微小な欠点の位置を正確に特定することができるEUVマスクブランク、マスクブランク用基板、および機能膜付基板の提供。  EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板であって、基板の成膜面に下記(1),(2)を満たす少なくとも3つのマークが形成されていることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板。 (1)マークの大きさが球相当直径で30~100nm。 (2)成膜面上で3つのマークが同一の仮想直線に載らない。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)