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1. (WO2008129891) エッチング用組成物及びエッチング方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/129891 国際出願番号: PCT/JP2008/051873
国際公開日: 30.10.2008 国際出願日: 05.02.2008
IPC:
H01L 21/308 (2006.01) ,C23F 1/14 (2006.01) ,C23F 1/30 (2006.01) ,C23F 1/40 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308
マスクを用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
F
機械方法によらない表面からの金属質材料の除去;金属質材料の防食;鉱皮の抑制一般;少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程
1
化学的手段による金属質材料のエッチング
10
エッチング組成物
14
水溶液組成物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
F
機械方法によらない表面からの金属質材料の除去;金属質材料の防食;鉱皮の抑制一般;少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程
1
化学的手段による金属質材料のエッチング
10
エッチング組成物
14
水溶液組成物
16
酸性組成物
30
その他の金属質材料をエッチングするためのもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
F
機械方法によらない表面からの金属質材料の除去;金属質材料の防食;鉱皮の抑制一般;少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程
1
化学的手段による金属質材料のエッチング
10
エッチング組成物
14
水溶液組成物
32
アルカリ性組成物
40
その他の金属質材料をエッチングするためのもの
出願人:
東ソー株式会社 TOSOH CORPORATION [JP/JP]; 〒7468501 山口県周南市開成町4560番地 Yamaguchi 4560, Kaisei-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7468501, JP (AllExceptUS)
高橋 史治 TAKAHASHI, Fumiharu [JP/JP]; JP (UsOnly)
原 靖 HARA, Yasushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
高橋 史治 TAKAHASHI, Fumiharu; JP
原 靖 HARA, Yasushi; JP
代理人:
泉名 謙治 SENMYO, Kenji; 〒1010035 東京都千代田区神田紺屋町17番地 SIA神田スクエア4階 Tokyo 4th Floor, SIA Kanda Square 17, Kanda-konyacho Chiyoda-ku, Tokyo 1010035, JP
優先権情報:
2007-10572013.04.2007JP
2007-14802504.06.2007JP
発明の名称: (EN) COMPOSITION FOR ETCHING AND METHOD OF ETCHING
(FR) COMPOSITION DE GRAVURE ET PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) エッチング用組成物及びエッチング方法
要約:
(EN) A composition for etching which does not foul the apparatus, is inexpensive, contains no strong alkali, and can etch ruthenium; and a method of etching with the composition. The composition for ruthenium etching is characterized by comprising chlorine and water, containing no fluorine, and having a pH lower than 12.
(FR) L'invention concerne une composition de gravure qui n'encrasse pas l'appareil, n'est pas coûteuse, ne contient aucun alcali fort et peut graver le ruthénium ; et un procédé de gravure avec la composition. La composition pour une gravure de ruthénium est caractérisée par le fait qu'elle comporte du chlore et de l'eau, qu'elle ne contient pas de fluor, et qu'elle a un pH inférieur à 12.
(JA)  装置を汚染せず、低コストで、強アルカリを使用することなく、ルテニウムをエッチングできる、エッチング用組成物、及びそれを用いたエッチング方法を提供する。  塩素及び水を含み、フッ素を含まず、なおかつpHが12未満であることを特徴とするルテニウムのエッチング用組成物。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020090129396