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1. (WO2008129800) 発光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/129800 国際出願番号: PCT/JP2008/000641
国際公開日: 30.10.2008 国際出願日: 19.03.2008
IPC:
H01L 33/24 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 33/42 (2010.01) ,H05B 33/14 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
20
特定の形状を有するもの,例.湾曲または面取りされた基板
24
発光領域にあるもの,例.非プレーナー接合
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
32
窒素を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
36
電極に特徴があるもの
40
材料
42
透明材料
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
12
実質的に2次元放射面をもつ光源
14
エレクトロルミネッセンス材料の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
谷口麗子 TANIGUCHI, Reiko; null (UsOnly)
小野雅行 ONO, Masayuki; null (UsOnly)
那須昌吾 NASU, Shogo; null (UsOnly)
佐藤栄一 SATOH, Eiichi; null (UsOnly)
小田桐優 ODAGIRI, Masaru; null (UsOnly)
発明者:
谷口麗子 TANIGUCHI, Reiko; null
小野雅行 ONO, Masayuki; null
那須昌吾 NASU, Shogo; null
佐藤栄一 SATOH, Eiichi; null
小田桐優 ODAGIRI, Masaru; null
代理人:
田中光雄 TANAKA, Mitsuo; 〒5400001 大阪府大阪市中央区城見1丁目3番7号IMPビル青山特許事務所 Osaka AOYAMA & PARTNERS IMP Building 3-7, Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5400001, JP
優先権情報:
2007-09706503.04.2007JP
発明の名称: (EN) LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'ÉMISSION DE LUMIÈRE
(JA) 発光素子
要約:
(EN) Disclosed is a light-emitting device comprising a pair of electrodes at least one of which is transparent or semi-transparent, and a light-emitting layer interposed between the pair of electrodes. The light-emitting layer comprises a nitride semiconductor nanocolumn composed of a plurality of columns, and electron transport layers so formed as to fill the spaces between the columns. In the nitride semiconductor nanocolumn, the plurality of columns, each of which is made of a nitride semiconductor, extend longitudinally parallel with each other between the electrodes, and the average radius of the columns and spaces therebetween are nano-sized. A nano-sized metal nanostructure is deposited on a part of the interfaces between the columns and the electron transport layers.
(FR) L'invention concerne un dispositif d'émission de lumière comprenant deux électrodes, au moins l'une desquelles étant transparente ou semi-transparente, et une couche d'émission de lumière interposée entre la paire d'électrodes. La couche d'émission de lumière comprend une nano-colonne de semi-conducteurs au nitrure composée de plusieurs colonnes, et des couches de transport d'électrons formées de façon à remplir les espaces entre les colonnes. Dans la nano-colonne de semi-conducteurs au nitrure, les différentes colonnes, chacune desquelles étant constituée d'un semi-conducteur au nitrure, s'étendent longitudinalement et parallèlement les unes aux autres entre les électrodes, et les rayons moyens des colonnes et les espaces entre celles-ci sont de dimension nanométrique. Une nanostructure métallique de dimension nanométrique est déposée sur une partie des interfaces entre les colonnes et les couches de transport d'électrons.
(JA)  本発明に係る発光素子は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、前記一対の電極間に挟まれて設けられた発光層とを備え、前記発光層は、窒化物半導体からなる各カラムの長手方向が前記電極間に互いに平行に延在し、各カラムの平均半径及び間隙がナノサイズである複数のカラムで構成された窒化物半導体ナノカラムと、前記カラムの間隙を埋めるように設けられた電子輸送層とを有し、前記カラムと前記電子輸送層の界面の一部にナノサイズの金属ナノ構造体が析出している。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)