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1. (WO2008129625) リーク電流検出回路、ボディバイアス制御回路、半導体装置及び半導体装置の試験方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/129625 国際出願番号: PCT/JP2007/057919
国際公開日: 30.10.2008 国際出願日: 10.04.2007
IPC:
G01R 31/28 (2006.01) ,G01R 31/30 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
R
電気的変量の測定;磁気的変量の測定
31
電気的性質を試験するための装置;電気的故障の位置を示すための装置;試験対象に特徴のある電気的試験用の装置で,他に分類されないもの
28
電子回路の試験,例.シグナルトレーサーによるもの
G 物理学
01
測定;試験
R
電気的変量の測定;磁気的変量の測定
31
電気的性質を試験するための装置;電気的故障の位置を示すための装置;試験対象に特徴のある電気的試験用の装置で,他に分類されないもの
28
電子回路の試験,例.シグナルトレーサーによるもの
30
限界試験,例.供給電圧を変えることによるもの
出願人:
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 〒1630722 東京都新宿区西新宿二丁目7番1号 Tokyo 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630722, JP (AllExceptUS)
藤井 磨永 FUJII, Kiyonaga [JP/JP]; JP (UsOnly)
小川 和樹 OGAWA, Yasushige [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
藤井 磨永 FUJII, Kiyonaga; JP
小川 和樹 OGAWA, Yasushige; JP
代理人:
恩田 博宣 ONDA, Hironori; 〒5008731 岐阜県岐阜市大宮町2丁目12番地の1 Gifu 12-1, Ohmiya-cho 2-chome Gifu-shi, Gifu 5008731, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) LEAK CURRENT DETECTOR CIRCUIT, BODY BIAS CONTROL CIRCUIT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE TESTING METHOD
(FR) CIRCUIT DÉTECTEUR DE COURANT DE FUITE, CIRCUIT DE COMMANDE DE POLARISATION DE CORPS, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE TEST DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) リーク電流検出回路、ボディバイアス制御回路、半導体装置及び半導体装置の試験方法
要約:
(EN) A leak current detector circuit (10) wherein the precision of detecting any leak currents in MOS transistors can be improved, while suppressing increase in circuit scale. The leak current detector circuit (10) comprises at least one P-channel MOS transistor (QP) that is connected to a high potential power supply and, when turned off, always generates a first leak current (Irp); at least one N-channel MOS transistor (QN) that is connected between a low potential power supply and the at least one P-channel MOS transistor and that, when turned off, always generates a second leak current (Irn); and a detector (20) that detects a potential (Vx) generated at a junction (X) between the at least one P-channel MOS transistor and the at least one N-channel MOS transistor in accordance with the first and second leak currents.
(FR) L'invention concerne un circuit détecteur de courant de fuite (10) dans lequel la précision de détection de tout courant de fuite dans des transistors MOS peut être améliorée, alors que l'augmentation d'échelle de circuit est supprimée. Le circuit détecteur de courant de fuite (10) comprend au moins un transistor MOS à canal P (QP) qui est relié à un bloc d'alimentation à potentiel élevé et, lorsqu'il est mis hors tension, génère toujours un premier courant de fuite (Irp); au moins un transistor MOS à canal N (QN) qui est relié entre un bloc d'alimentation à faible potentiel et le ou les transistors MOS à canal P et qui, lorsqu'il est mis hors tension, génère toujours un second courant de fuite (Irn); et un détecteur (20) qui détecte un potentiel (Vx) généré au niveau d'une jonction (X) entre le ou les transistor MOS à canal P et le ou les transistors MOS à canal N en fonction des premier et second courants de fuite.
(JA)  回路規模の増大を抑制しつつも、MOSトランジスタにおけるリーク電流の検出精度を向上させることのできるリーク電流検出回路(10)。リーク電流検出回路(10)は、高電位電源に接続され、常時オフされて第1リーク電流(Irp)を生成する少なくとも1つのPチャネルMOSトランジスタ(QP)と、低電位電源と前記少なくとも1つのPチャネルMOSトランジスタとの間に接続され、常時オフされて第2リーク電流(Irn)を生成する少なくとも1つのNチャネルMOSトランジスタ(QN)と、第1及び第2リーク電流に応じて前記少なくとも1つのPチャネルMOSトランジスタと前記少なくとも1つのNチャネルMOSトランジスタとの間の接続点(X)に生成された電位(Vx)を検出する検出器(20)と、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JP5170086