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1. WO2008129605 - 磁性素子の製造法

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請 求 の 範 囲

1 . エーテル類、アルデヒド類、カルボン酸類、エステル類、ジオン 類及びァミン類からなるガス化化合物群から選択された少なくとも 一種のガス化化合物を用いて形成したプラズマ雰囲気を形成し、 該プラズマ雰囲気下で非有'機材料マスクを用いて、周期律表第 8 族、 9族及び 1' 0族の元素から成る金属群より選択された少なくと の 1種の金属を含む磁性膜、又は反磁性膜をエッチングすることか らなる磁性素子の製造法。

2 . 前記エーテル類は、ジメチルエーテル、ジェチルエーテル及びェ チレンォキシドからなる化合物群より選択された少なくとも一種で ある請求項 1に記載の磁性素子の製造法。

3 . 前記アルデヒド類は、ホルムアルデヒド及びァセトアルデヒドか らなる化合物群より選択された少なくとも一種である請求項 1に記 載の磁性素子の製造法。

4 . 前記カルボン酸類は、ギ酸及び酢酸からなる化合物群より選択さ れた少なくとも一種である、請求項 1に記載の磁性素子の製造法。

5 . ' エステル類は、クロロギ酸ェチル及び酢酸ェチルからなる化合物 群からなる化合物群より選択された少なくとも一種である請求項 1 に記載の磁性素子の製造法。

6 . 前記アミン類は、ジメチルァミン及びトリェチルァミンからなる 化合物群より選択された少なくとも一種である請求項 1に記載の磁 性素子の製造法。

7 . 前記ジオン類は、テトラメチルヘプ夕ジオン、ァセチルアセトン 及びへキサフルォロアセチルアセトンからなる化合物群より選択さ れた少なくとも一種である、請求項 1に記載の磁性素子の製造法。 . 磁性素子は、 TMR素子である請求項 1に記載の磁性素子の製造法。.

9 . 前記ガス化化合物に酸素、オゾン、窒素、 H20、 N20、 N02及び C02からなるガス群から選択された少なくとも一種のガスを添加し てプラズマ雰囲気を形成している、

請求項 1に記載の磁性素子の製造法。

10. 前記エーテル類は、ジメチルエーテル、ジェチルエーテル及びェ チレンォキシドからなる化合物群より選択された少なくとも一種で ある請求項 9に記載の磁性素子の製造法。 .

11. 前記アルデヒド類は、ホルムアルデヒド及びァセトアルデヒドか らなる化合物群より選択された少なくとも一種である請求項 9に記 載の磁性素子の製造法。

12. 前記カルボン酸類は、ギ酸及び酢酸からなる化合物群より選択さ れた少なくとも一種である請求項 9に記載の磁性素子の製造法。

13. エステル類は、クロロギ酸ェチル及び酢酸ェチルからなる化合物 群からなる化合物群より選択された少なくとも一種である請求項 9 に記載の磁性素子の製造法。

14. 前記アミン類は、ジメチルァミン及びトリェチルァミンからなる 化合物群より選択された少なくとも一種である請求項 9に記載の磁 性素子の製造法。

15. 前記ジオン類は、テトラメチルヘプ夕ジオン、ァセチルアセトン 及びへキサフルォロアセチルアセトンからなる化合物群より選択さ

' れた少なくとも一種ある請求項 9に記載の磁性素子の製造法。

16. 前記非有機材料マスクは、周期律表第 3族、第 4族、第 5族若し くは第 6族の金属原子材料、又はこれら金属原子と非金属原子との 混合物材料からなる膜とを少なくとも 1つ含む請求項 1に記載の磁 性素子の製造法。

1 7 . 前記非有機材料マスクは、 T a、 T i若しくは A 1の金属、非金 属、これら金属若しくは非金属の酸化物又はこれら金属若しくは非 金属の窒化物からなる膜を少なくとも 1つ含む請求項 1 6に記載の 磁性素子の製造法。

18. 前記非金属は、 S iである,請求項 1 7に記載の磁性素子の製造法。

19. 前記磁性膜は、磁性膜と反磁性膜が積層された積層磁性膜である 請求項 1に記載の磁性素子の製造法。

磁性素子は、 TMR素子である請求項 1に記載の磁性素子の製造法。