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1. (WO2008129605) 磁性素子の製造法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/129605 国際出願番号: PCT/JP2007/057689
国際公開日: 30.10.2008 国際出願日: 30.03.2007
予備審査請求日: 22.02.2008
IPC:
H01L 43/12 (2006.01) ,C23F 4/00 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
12
これらの装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
F
機械方法によらない表面からの金属質材料の除去;金属質材料の防食;鉱皮の抑制一般;少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程
4
グループ1/00または3/00に分類されない,表面から金属質材料を除去するための方法
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
出願人:
キヤノンアネルバ株式会社 CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 〒2158550 神奈川県川崎市麻生区栗木2-5-1 Kanagawa 2-5-1 Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550, JP (AllExceptUS)
小平吉三 KODAIRA, Yoshimitsu [JP/JP]; JP (UsOnly)
長田智明 OSADA, Tomoaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
小平吉三 KODAIRA, Yoshimitsu; JP
長田智明 OSADA, Tomoaki; JP
代理人:
岡部正夫 OKABE, Masao; 〒1000005 東京都千代田区丸の内3-2-3富士ビル602号室 Tokyo No.602, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING MAGNETIC ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UN ÉLÉMENT MAGNÉTIQUE
(JA) 磁性素子の製造法
要約:
(EN) A magnetic film is etched in a plasma atmosphere using a non-organic film mask to produce a magnetic element. The plasma atmosphere is formed from at least one gasifying compound selected from the group consisting of ethers, aldehydes, carboxylic acids, esters, and diones. A magnetic film or diamagnetic film containing at least one metal selected from the group consisting of the elements in Groups 8, 9, and 10 of the Periodic Table is etched using a non-organic-material mask in the plasma atmosphere. At least one gas selected from the group consisting of oxygen, ozone, nitrogen, H2O, N2O, NO2, and CO2 can be added as a plasma-atmosphere gas to the gasifying compound. The etching rate and etching ratio were satisfactory.
(FR) Selon un mode de réalisation décrit dans cette invention, un film magnétique est gravé dans une atmosphère de plasma au moyen d'un film non organique pour produire un élément magnétique. L'atmosphère de plasma est constituée d'au moins un composé de gazéification choisi dans le groupe comprenant les éthers, les aldéhydes, les acides carboxyliques, les esters et les diones. Un film magnétique ou diamagnétique contenant au moins un métal choisi dans le groupe comprenant les éléments des groupes 8, 9 et 10 du tableau périodique est gravé au moyen d'un masque de matériau non organique dans l'atmosphère de plasma. Au moins un gaz choisi dans le groupe comprenant l'oxygène, ozone, hydrogène, H2O, N2O, NO2, et CO2 peut être ajouté en tant que gaz d'atmosphère de plasma au composé de gazéification. Ce mode de réalisation permet d'obtenir un vitesse de gravure et un rapport de gravure satisfaisants.
(JA) 磁性膜を、非有機膜マスクを用いてプラズマ雰囲気下でエッチングして、磁性素子を製造する。エーテル類、アルデヒド類、カルボン酸類、エステル類及びジオン類からなるガス化化合物群から選択された少なくとも一種のガス化化合物を用いて形成したプラズマ雰囲気を形成し、プラズマ雰囲気下で非有機材料マスクを用いて、周期律表第8族、9族及び10族の元素から成る金属群より選択された少なくとも1種の金属を含む磁性膜、又は反磁性膜をエッチングする。プラズマ雰囲気のガスとして、酸素、オゾン、窒素、H2O、N2O、NO2及びCO2からなるガス群から選択された少なくとも1種のガスを上述のガス化化合物に付加し得る。エッチング速度、エッチング比は良好であった。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020100005058US20100044340CN101641807