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1. (WO2008129602) 表面形状センサとその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/129602    国際出願番号:    PCT/JP2007/057670
国際公開日: 30.10.2008 国際出願日: 05.04.2007
IPC:
G01B 7/28 (2006.01)
出願人: FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku Tokyo 1630722 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMAGATA, Takahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAGAI, Kouichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMAGATA, Takahiro; (JP).
NAGAI, Kouichi; (JP)
代理人: OKAMOTO, Keizo; OKAMOTO PATENT OFFICE Yamanishi Bldg. 4F 11-7, Nihonbashi Ningyo-cho 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SURFACE MORPHOLOGY SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF
(FR) CAPTEUR DE MORPHOLOGIE DE SURFACE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 表面形状センサとその製造方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a surface morphology sensor which has an improved sensitivity while retaining high mechanical strength, and to provide a method for the manufacture of the surface morphology sensor. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A surface morphology sensor comprising: a semiconductor substrate (10); an interlayer insulating film (40) which is provided on the upper side of the semiconductor substrate (10) and has a smooth upper surface; a detection electrode film (42a) which is formed on the interlayer insulating film (40); an upper insulating film (110) which is formed on the detection electrode film (42a) and the interlayer insulatingfilm (40) and has a silicon nitride film exposed at the surface; and a protective insulating film (54) which is deposited on the upper insulating film (110) and comprises a tetrahedral amorphous carbon (ta-C) film having a window (54a) formed on the detection electrode film (42a).
(FR)L'invention vise à proposer un capteur de morphologie de surface qui a une sensibilité améliorée tout en conservant une résistance mécanique élevée, et à proposer un procédé de fabrication du capteur de morphologie de surface. À cet effet, un capteur de morphologie de surface comprend un substrat semi conducteur (10) ; un film isolant intercouche (40) qui est disposé sur le côté supérieur du substrat semi conducteur (10) et a une surface supérieure lisse ; un film d'électrode de détection (42a) qui est formé sur le film isolant intercouche (40) ; un film isolant supérieur (110) qui est formé sur le film d'électrode de détection (42a) et le film isolant intercouche (40) et a un film de nitrure de silicium exposé au niveau de la surface ; et un film isolant protecteur (54) qui est déposé sur le film isolant supérieur (110) et comprend un film de carbone amorphe tétraédrique (ta-C) ayant une fenêtre (54a) formée sur le film d'électrode de détection (42a).
(JA)【課題】機械的強度を維持しつつ、感度向上を図ることが可能な表面形状センサとその製造方法を提供する。 【手段】半導体基板10の上方に形成された平坦な上面を有する層間絶縁膜40と、層間絶縁膜40上に形成された検出電極膜42aと、検出電極膜42a及び層間絶縁膜40上に形成された、窒化シリコン膜が表面に露出する上部絶縁膜110と、上部絶縁膜110の上に堆積され、検出電極膜42aの上に窓54aが形成されたテトラヘデラルアモルファスカーボン(ta-C)膜からなる保護絶縁膜54とを有することを特徴とする表面形状センサ。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)