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1. (WO2008126891) ドライエッチング方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/126891 国際出願番号: PCT/JP2008/057066
国際公開日: 23.10.2008 国際出願日: 10.04.2008
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 〒2538543 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 Kanagawa 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP (AllExceptUS)
森川 泰宏 MORIKAWA, Yasuhiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
鄒 紅コウ SUU, Koukou [CN/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
森川 泰宏 MORIKAWA, Yasuhiro; JP
鄒 紅コウ SUU, Koukou; JP
代理人:
大森 純一 OMORI, Junichi; 〒1070062 東京都港区南青山2-13-7 マトリス4F Tokyo 4th Floor, Matrice Bldg. 2-13-7, Minamiaoyama Minato-Ku, Tokyo 1070062, JP
優先権情報:
2007-10351211.04.2007JP
発明の名称: (EN) DRY ETCHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE SÈCHE
(JA) ドライエッチング方法
要約:
(EN) [PROBLEMS] To provide a dry etching method not causing any notch in the insulating layer and realizing high-accuracy microfabrication. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] According to the dry etching method, a substrate where a semiconductor layer (21) is formed on a silicon oxide insulating layer (23) is prepared, a through hole (25) is formed in the semiconductor layer (21), the region of the insulating layer (23) exposed in the through hole (25) is etched to form a recess (26) in the insulating layer (23), and a resin film (27) is formed on the side wall of the through hole (25) and the side wall of the recess (26). Since the resin film (27) is formed on the side wall of the recess (26), the side wall of the recess (26) is protected from collision of ions in the plasma, and no notch in the side wall of the recess is formed. Further, since the resin film (27) is formed on the side wall of the through hole (25), the side wall of the through hole (25) is protected from collision of ions in the plasma. Thus, variation of the hole shape of the through hole (25) is prevented.
(FR) L'invention concerne la fourniture d'un procédé de gravure sèche ne provoquant aucune entaille dans la couche isolante et réalisant une microfabrication très précise. Selon le présent procédé de gravure sèche, un substrat est préparé. Une couche semi-conductrice (21) est formée sur une couche isolante d'oxyde de silicium (23), un trou traversant (25) est formé dans la couche semi-conductrice (21), la zone de la couche isolante (23) exposée dans le trou traversant (25) est gravée pour former un évidement (26) dans la couche isolante (23) et un film de résine (27) est formé sur la paroi latérale du trou traversant (25) et sur la paroi latérale de l'évidement (26). Le film de résine (27) étant formé sur la paroi latérale de l'évidement (26), cette dernière est protégée d'une collision d'ions dans le plasma et aucune entaille dans la paroi latérale de l'évidement n'est formée. De plus, le film de résine (27) étant formé sur la paroi latérale du trou traversant (25), cette dernière est protégée d'une collision d'ions dans le plasma. Ainsi, toute variation de la forme de trou du trou traversant (25) est évitée.
(JA) 【課題】絶縁層へのノッチの発生を抑制できるとともに、高精度な微細加工を実現できるドライエッチング方法を提供する。 【解決手段】本発明に係るドライエッチング方法は、シリコン酸化物からなる絶縁層23の上に半導体層21が形成された基板を準備し、半導体層21に貫通孔25を形成し、貫通孔25を介して露出する絶縁層23の領域をエッチングすることで絶縁層23に凹所26を形成しながら、貫通孔25および凹所26の側壁に樹脂膜27を形成する。凹所26の側壁に樹脂膜27が形成されることにより、凹所26の側壁がプラズマ中のイオンの衝突から保護され、凹所側壁へのノッチの発生が抑制される。また、貫通孔25の側壁に樹脂膜27が形成されることにより、貫通孔25の側壁がプラズマ中のイオンの衝突から保護され、貫通孔25の孔形状の変動が防止される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020090125174EP2136391JPWO2008126891US20100062606CN101652841JP5268112
AU2008239010