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1. (WO2008126718) 半導体チップの製造方法、並びに半導体用接着フィルム及びこれを用いた複合シート
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/126718 国際出願番号: PCT/JP2008/056361
国際公開日: 23.10.2008 国際出願日: 31.03.2008
IPC:
H01L 21/301 (2006.01) ,C09J 7/00 (2006.01) ,C09J 201/00 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301
半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J
接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
7
フィルム状または箔状の接着剤
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J
接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
201
不特定の高分子化合物に基づく接着剤
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52
容器中への半導体本体のマウント
出願人:
日立化成工業株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 〒1630449 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号 Tokyo 1-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630449, JP (AllExceptUS)
中村 祐樹 NAKAMURA, Yuuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
北勝 勉 KITAKATSU, Tsutomu [JP/JP]; JP (UsOnly)
片山 陽二 KATAYAMA, Youji [JP/JP]; JP (UsOnly)
畠山 恵一 HATAKEYAMA, Keiichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
中村 祐樹 NAKAMURA, Yuuki; JP
北勝 勉 KITAKATSU, Tsutomu; JP
片山 陽二 KATAYAMA, Youji; JP
畠山 恵一 HATAKEYAMA, Keiichi; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA, Yoshiki; 〒1040061 東京都中央区銀座一丁目10番6号銀座ファーストビル 創英国際特許法律事務所 Tokyo SOEI PATENT AND LAW FIRM, Ginza First Bldg., 10-6 Ginza 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061, JP
優先権情報:
2007-09934405.04.2007JP
2007-20433806.08.2007JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP, ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR, AND COMPOSITE SHEET USING THE FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE, FILM ADHÉSIF POUR SEMI-CONDUCTEUR, ET FEUILLE COMPOSITE UTILISANT LE FILM
(JA) 半導体チップの製造方法、並びに半導体用接着フィルム及びこれを用いた複合シート
要約:
(EN) Provided is a method for obtaining semiconductor chips from a semiconductor wafer at high yield while sufficiently suppressing generation of chip cracks and burrs. The method for manufacturing the semiconductor chips is provided with a step of preparing a laminated body by laminating a semiconductor wafer, an adhesive film for semiconductor and a dicing tape in this order, dividing the semiconductor wafer into semiconductor chips and forming a cut section so that a part of the adhesive film remains uncut in the thickness direction. The method is also provided with a step of dividing the adhesive film along the cut section by stretching the dicing tape in a direction of separating the semiconductor chips one from the other. The adhesive film for semiconductor has a tensile rupture elongation of less than 5%, which is less than 110% of the elongation with the maximum load.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication de puces semi-conductrices à partir d'une plaquette semi-conductrice. Ledit procédé permet d'obtenir un rendement élevé et de supprimer de manière suffisante les fissures et les bavures de puce. Le procédé de fabrication des puces semi-conductrices comprend une étape consistant à préparer un corps stratifié par stratification d'une plaquette semi-conductrice, un film adhésif pour semi-conducteur et un ruban de tranchage, dans cet ordre ; à diviser la plaquette semi-conductrice en puces semi-conductrices et à former un tronçon découpé de sorte qu'une partie du fil adhésif reste non découpée dans la direction de l'épaisseur. Le procédé comprend aussi une étape consistant à diviser le film adhésif le long du tronçon découpé en étirant le ruban de tranchage dans une direction de séparation des puces semi-conductrices les unes des autres. L'allongement à la rupture en traction du film adhésif pour semi-conducteur est inférieur à 5 %, soit moins de 110 % de l'allongement avec la charge maximum.
(JA)  チップクラックやバリの発生を十分に抑制しながら、半導体ウェハから半導体チップを歩留よく得ることを可能にするための方法を提供する。  半導体ウェハ、半導体用接着フィルム及びダイシングテープがこの順で積層され、半導体ウェハが複数の半導体チップに分割されるとともに半導体用接着フィルムの厚さ方向の一部が切断されずに残るように切り込みが形成されている積層体を準備する工程と、ダイシングテープを複数の半導体チップが互いに離れる方向に引き伸ばすことにより、半導体用接着フィルムを切り込みに沿って分割する工程とを備える半導体チップの製造方法。半導体用接着フィルムは、5%未満の引張破断伸度を有し、該引張破断伸度が最大荷重時の伸度の110%未満である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020090126249EP2139028US20100120229CN101647096